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硅衬底led芯片,何时跻身主流?

如今,SiC、蓝宝石、硅这三种不同的衬底技术路线,哪种在成本和性能上更具优势?如果越来越多的公司开始量产硅衬底,是否会对SiC与蓝宝石这两种技术路线形成冲击?不同的技术路线,国

  https://www.alighting.cn/news/20120516/89190.htm2012/5/16 9:49:09

内置电源led日光灯的缺点和问题

能是普通的半圆柱型,顶多在表面上加上一些很浅的条形沟槽(图4)。 图4中空铝管的半塑半铝的led日光灯灯管   这种半圆柱的表面积为:2πr*h/2=πr*h。对于t8灯管来说,它的直

  http://blog.alighting.cn/www.nengzhaoled.com/archive/2012/4/26/273059.html2012/4/26 15:52:24

天富热电:SiC进入量产临界点 led需求爆发提升估值

天富热电(600509)业务可分为稳定增长、扎根新疆的主营业务和技术含量高、发展空间大的投资业务。

  https://www.alighting.cn/news/20120425/113851.htm2012/4/25 10:32:24

用氧化镓制造功率元件 与SiC相比成本低且性能出色(2)

采用β-ga2o3制作基板时,可使用“fz(floating zone)法”及“efg(edge-definedfilm-fed growth)法”等溶液生长法,这也是其特点之一,

  https://www.alighting.cn/2012/4/24 14:17:04

用氧化镓制造功率元件 与SiC相比成本低且性能出色[1]

SiC和gan相比,β-ga2o3有望以低成本制造出高耐压且低损失的功率半导体元件,因而引起了极大关注。契机源于日本信息通信研究机构等的研究小组开发出的β-ga2o3晶体管。下

  https://www.alighting.cn/2012/4/19 18:06:25

一、全球led产业链现状与分析

d公司利用技术上的领先优势,在国际竞争中占有垄断性的地位;例如,cree公司掌握着led衬底两大主流技术之一——SiC与kan衬底,在全球led产业中占有7%的市场份额。 1.

  http://blog.alighting.cn/15196/archive/2012/4/17/272310.html2012/4/17 17:14:03

科锐(cree)再推更高亮度xlamp高压led封装体

e led一样,此次新产品借助于sc3技术平台的强力支持。sc3技术平台是采用cree自家的碳化矽(SiC)技术,在led芯片结构及萤光粉技术上表现出优异的特性,同时采用了最新封装技

  https://www.alighting.cn/pingce/20120411/122609.htm2012/4/11 9:35:02

led芯片降价空间大 可通过三种途径

样灯具所用的led光源数量将明显减少,有助于灯具成本的下降。 3.发展新型衬底材料。现在的大功率led芯片衬底材料一般都为蓝宝石或SiC,这两种材料价格都非常昂贵,且都为国外大企业

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271806.html2012/4/10 23:37:11

内置电源led日光灯的缺点和问题

内置电源的另一个最大缺点是寿命低。因为电源必须放在铝管里,所以铝管不可能做成鳍片的形式,而只能是普通的半圆柱型,顶多在表面上加上一些很浅的条形沟槽(图4), 图4 中空铝管的

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271730.html2012/4/10 23:29:45

大功率led封装以及散热技术

底上生长出pn结后将蓝宝石衬底切除再连接上传统的四元材料,制造出上下电极结构的大尺寸蓝光led芯片。 2.5algainn/碳化硅(SiC)背面出光法: 美国cre

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271718.html2012/4/10 23:24:08

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