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d公司利用技术上的领先优势，在国际竞争中占有垄断性的地位；例如，cree公司掌握着led衬底两大主流技术之一——SiC与kan衬底，在全球led产业中占有7％的市场份额。 1.
http://blog.alighting.cn/15196/archive/2012/4/17/272310.html2012/4/17 17:14:03
e led一样，此次新产品借助于sc3技术平台的强力支持。sc3技术平台是采用cree自家的碳化矽(SiC)技术，在led芯片结构及萤光粉技术上表现出优异的特性，同时采用了最新封装技
https://www.alighting.cn/pingce/20120411/122609.htm2012/4/11 9:35:02
样灯具所用的led光源数量将明显减少,有助于灯具成本的下降。 3.发展新型衬底材料。现在的大功率led芯片衬底材料一般都为蓝宝石或SiC,这两种材料价格都非常昂贵,且都为国外大企业
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271806.html2012/4/10 23:37:11
内置电源的另一个最大缺点是寿命低。因为电源必须放在铝管里，所以铝管不可能做成鳍片的形式，而只能是普通的半圆柱型，顶多在表面上加上一些很浅的条形沟槽（图4）， 图4 中空铝管的
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271730.html2012/4/10 23:29:45
底上生长出pn结后将蓝宝石衬底切除再连接上传统的四元材料，制造出上下电极结构的大尺寸蓝光led芯片。 2.5algainn/碳化硅（SiC）背面出光法： 美国cre
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271718.html2012/4/10 23:24:08
1,cree 著名led芯片制造商，美国cree公司，产品以碳化硅(SiC)，氮化镓(gan),硅(si)及相关的化合物为基础,包括蓝,绿,紫外发光二极管(led),近紫外激
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271716.html2012/4/10 23:24:02
日本知名半导体制造商罗姆株式会社推出的“全SiC”功率模块(额定1200v/100a)开始投入量产。该产品的内置功率半导体元件全部采用SiC(silicon carbide：碳化
https://www.alighting.cn/pingce/20120323/122874.htm2012/3/23 16:07:24
2012年几大热点应用逐渐浮出水面，它们是智能手机、平板电脑、轨道交通、新能源、混合动力汽车、led照明、便携医疗电子产品等，这也带动了几类元器件的走热，这里汇集半导体厂商的分析，
https://www.alighting.cn/news/20120319/89421.htm2012/3/19 11:18:50
s及其合金等称为第二代电子材料，宽禁带(eg2.3e v)半导体材料近年来发展十分迅速，成为第三代电子材料，主要包括SiC,zn se、金刚石和gan等。宽禁带半导体材料具有禁带宽
http://blog.alighting.cn/1059/archive/2012/3/15/267830.html2012/3/15 19:29:50
东莞市将对2010年度市重大科技专项《纯电动汽车集成开发关键技术研究及应用》、《电动汽车动力电池关键技术研发与产业化》、《第三代半导体碳化硅外延晶片研发及产业化》、《半导体照明产品
https://www.alighting.cn/news/20120305/109591.htm2012/3/5 10:18:21
