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十年磨一剑 中国led衬底技术取得突破性进展

在led行业中,我国自主创新的衬底led技术被誉为继碳化(SiC)led技术、蓝宝石衬底led技术之外的第三条技术路线,其打破了日本和欧美led厂商形成的牢固的专利壁垒,拥

  https://www.alighting.cn/news/201467/n323862863.htm2014/6/7 11:30:20

科锐开发出直径150mm的n型4h-SiC外延晶圆

美国科锐公司(cree)开发出了直径为150mm(6英寸)、晶型结构为4h的n型SiC外延晶圆,此次开发的晶圆厚100μm,可使用现有的150mm晶圆的设备来制造。

  https://www.alighting.cn/pingce/20120905/122279.htm2012/9/5 11:54:18

采钰科技李豫华博士:《led在基板上封装之创新技术》

2010年6月10日,“亚洲led照明高峰论坛 -- led专利、标准与检测"专题分会在广州琶洲展馆b区8号会议厅南厅举行。来自台湾采钰科技有限公司晶圆级led封装技术高级工程师

  https://www.alighting.cn/news/20110612/109084.htm2011/6/12 15:56:47

cree同意Wolfspeed出售给英飞凌 美国外国投资委员会可能不批准!

d”)的信息,其中包括碳化衬底 业务为电源,rf和宝石应用,到英飞凌科技股份公司(fse:ifx / otcqx:ifnn

  https://www.alighting.cn/news/20170210/148004.htm2017/2/10 10:07:09

衬底材料——半导体照明的基石

半导体照明是一种基于半导体发光二极管新型光源的固态照明,是21世纪最具发展前景的高技术领域之一,已经成为人类照明史上继白炽灯、荧光灯之后的又一次飞跃。衬底作为半导体照明产业技术发展

  https://www.alighting.cn/resource/20060627/128937.htm2006/6/27 0:00:00

SiC功率组件的组装与散热管理

SiC功率组件主要应用于切换频率较高以及尺寸较小的电力电子装置中。然而,这样的趋势正为这类芯的封装带来新的挑战。典型的杂散参数如电感值,在电路中逐渐成为关键组件。

  https://www.alighting.cn/resource/20140411/124685.htm2014/4/11 11:14:58

cree展示4英寸零微管SiC衬底

2007年5月23日,cree宣布在SiC技术开发上又出现了一座新里程碑-4英寸(100mm)零微管(zmp)n型SiC衬底。

  https://www.alighting.cn/news/20070524/120729.htm2007/5/24 0:00:00

2012年全球led晶圆产能将增加27%

根据研调机构semi的报告指出,2012年的全球led晶圆制造产能将比2011年成长27%,预计达200万,其中,估计台湾的占比约25%,稳居第一。

  https://www.alighting.cn/news/20120208/89602.htm2012/2/8 10:41:21

台积电12寸晶圆产能超三星三到四倍

台积电(2330)中科fab15本季量产后,12寸晶圆月产能将首度突破30万,来到30.4万,在产能逐季增加下,法人预估,台积电今年底12寸月产能挑战35万至40万大关,持

  https://www.alighting.cn/news/20120315/113842.htm2012/3/15 10:13:58

科锐发布口径为6英寸的SiC底板

据了解,6英寸底板量产后,SiC功率元件的普及将会加速。这是因为生产效率提高,有助于削减制造成本,SiC功率元件的价格有望降低。目前,部分厂商正在投产使用4英寸底板制造的SiC

  https://www.alighting.cn/news/20100909/120844.htm2010/9/9 0:00:00

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