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位为电子伏特（ｅｖ），例如砷化镓ｅｇ＝１．４３ｅｖ，峰值在近红外区，而磷化镓ｅｇ＝２．２６ｅｖ，发光峰值在绿区，对于ｇａａｓ等半导体材料或它们的组合晶体ｇａａｓｐ，其禁带宽度对
http://blog.alighting.cn/117400/archive/2012/3/16/268498.html2012/3/16 14:14:52
向出光利用率。 1999年hp公司开发了倒金字塔形alingap芯片并达到商用的目标，tip结构减少了光在晶体内传输距离、减少了内反射和吸收（有源区吸收和自由截流子吸收等）引起的
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271148.html2012/4/10 20:57:39
c，即可通过一个pwm信号、dc电压或外部nmos晶体管来完成调光操作，调光范围可高达3000:1。 最后，车载电子产品可能对噪声很敏感，尤其是导航系统、无线电路和am无线电波段接
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271690.html2012/4/10 23:22:18
有的应用于笔记本或桌面系统的lcd都使用薄膜晶体管（tft）激活液晶层中的单元格。tft lcd技术能够显示更加清晰，明亮的图象。早期的lcd由于是非主动发光器件，速度低，效率差，对比
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271702.html2012/4/10 23:23:05
d,hfbr－24xz内部集成了包括pin光电检测器、直流放大器及集电极开路输出schottky型晶体管的一个ic芯片,其输出可直接与流行的ttl及cmos集成电路相连。4一种实用的光
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271777.html2012/4/10 23:33:00
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271792.html2012/4/10 23:33:55
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274728.html2012/5/16 21:28:43
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274744.html2012/5/16 21:29:26
圆，需要大量低效耗时的生产阶段，比如将gan薄膜从蓝宝石衬底上移开的激光剥离步骤。 一些硅衬底氮化镓方法持有怀疑的人则认为，在高温mocvd沉积过程中，由于两个晶体之间固有的晶格不匹
http://blog.alighting.cn/jieke/archive/2012/6/20/279208.html2012/6/20 11:27:11
目的观赏对象.为了取得华丽、生动的闪烁效果,艺术灯具上常使用一些有光泽的材料,如晶体玻璃、镀金铁件等,使其产生高亮度,视觉上虽受到了一点影响,观赏心理上却得到满足.但仍然应注意亮度对
http://blog.alighting.cn/zgf/archive/2012/6/20/279403.html2012/6/20 17:03:01
