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“硅基镓氮固态光源关键技术研究”取得重要进展

由南昌大学承担的863计划新材料领域课题“硅基镓氮固态光源关键技术研究”日前通过了验收。该课题在第一代半导体材料硅衬底上研制成功第三代半导体材料氮化镓基蓝色发光二极管,处于国际领

  https://www.alighting.cn/news/20060414/104488.htm2006/4/14 0:00:00

日亚化:515nm激光二极管研发成功

日亚化学 (nichia)利用制造蓝光激光器的gan基板,配合工艺与结构的改良,制作出波长515 nm的连续波绿光激光二极管,打破先前电激发氮化铟镓(ingan)激光器所保

  https://www.alighting.cn/news/20090616/104671.htm2009/6/16 0:00:00

为开发领先led技术,英国投资百万欧元

」项目。该项目的目标是生产高功率的氮化鎵led,光出量为90

  https://www.alighting.cn/news/20090109/105876.htm2009/1/9 0:00:00

日本三菱化学生产超高亮白光led

y reactor系统,用于氮化镓基超高亮度白光led的生

  https://www.alighting.cn/news/20090916/106054.htm2009/9/16 0:00:00

cree将无微管sic 衬底做到4英吋的长度

美国led大厂cree日前宣佈,旗下的材料事业已经成功地将无微管(zmp) 的sic衬底尺寸做到4英吋,约合10公分的长度,将有助于n-type型态的发展,也对氮化鎵(gan)

  https://www.alighting.cn/news/20070530/106317.htm2007/5/30 0:00:00

美国大厂cree与日本三菱化学签订gan基板授权合约

日前led上游大厂美国cree表示,该公司已与三菱化学签订独家授权合约。根据双方协议,三菱化学将可制造、贩卖独立的氮化鎵(gan)基板,并有权签订类似专利范围的再授权协

  https://www.alighting.cn/news/20090120/106630.htm2009/1/20 0:00:00

新海宜子公司led外延芯片项目获补助1431万

12月24日晚间,新海宜公告称,公司控股子公司苏州新纳晶光电有限公司于2013年12月24日收到通知,苏州工业园区将对其“高亮度氮化镓基半导体照明外延片、芯片的研发及产业化”科

  https://www.alighting.cn/news/20131225/111570.htm2013/12/25 9:55:46

三安光电全资子公司获mocvd设备补贴8000万

三安光电(600703)公告表示,经第七届董事会第三十次会议决议,决定公司全资子公司厦门市三安光电科技有限公司新增国际先进的20台单腔机或者5台四腔连体机氮化镓mocvd设备及扩

  https://www.alighting.cn/news/20131217/112297.htm2013/12/17 9:45:45

三安光电拟不超2.8亿元购mocvd扩充生产线

三安光电6月18日晚董事会公告称,公司全资子公司厦门市三安光电科技有限公司拟不超2.8亿新增国际先进的20台单腔机或5台四腔连体机氮化镓mocvd设备及扩充部分led芯片产线。

  https://www.alighting.cn/news/20130619/112318.htm2013/6/19 9:47:42

bridgelux与东芝联合开发gansi技术

美国bridgelux inc.和日本东芝公司(toshiba corporation)宣布,双方达成协议。依照协议,bridgelux将向东芝出售其矽基氮化

  https://www.alighting.cn/news/20130425/112734.htm2013/4/25 9:54:56

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