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降低高亮度led成本的晶圆粘结及检测

,氮化,磷化,和蓝宝石等,可用来制作led.在复合半导体上生长出光子层并转移到或相似的材料的支撑晶圆上,并且晶圆的背面是暴露出来的。现在复合半导体只有大到4英寸。这就限制了le

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230116.html2011/7/18 23:52:00

深度对比半导体照明三条主要技术路线

在led的制备过程中,上游的衬底材料是决定led颜色、亮度、寿命等性能指标的主要因素。衬底材料表面的粗糙度、热膨胀系数、热传导系数、极性的影响、表面的加工要求以及与外延材料间晶格间

  https://www.alighting.cn/news/20160222/137107.htm2016/2/22 10:04:13

全国led产业格局明朗,南昌“造谷”底气何来?

在政府、企业的共同努力下,国家led工程研究中心落户,具有国际先进水平的led实验、中试、检测平台相继建成,并成功引入众多led龙头企业。自此,南昌衬底led技术站

  https://www.alighting.cn/news/20160930/144716.htm2016/9/30 9:36:40

蓝光led引发第二次照明革命!

n)工作的39岁的中村修二终于发明了氮化和铟氮化的具有商业应用价值的蓝光led,从而引发了照明技术的新革命。凭借此项发明,他荣获2006年千禧科技奖,这相当于科技界的诺贝尔!不

  http://blog.alighting.cn/smartlight/archive/2014/10/8/358650.html2014/10/8 11:00:54

led芯片制造流程

随着技术的发展,led的效率有了非常大的进步。在不久的未来led会代替现有的照明灯泡。近几年人们制造led芯片过程中首先在衬底上制作氮化鎵(gan)的外延片(外延片),外延片所

  http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120531.html2010/12/13 22:58:00

台湾、大陆、国外芯片厂 名单 总汇

司,产品以碳化(sic),氮化(gan),(si)及相关的化合物为础,包括蓝,绿,紫外发光二极管(led),近紫外激光,射频(rf)及微波器件,功率开关器件及适用于生产及科

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2010/10/20/109110.html2010/10/20 15:39:00

led芯片厂商

(sic),氮化(gan),(si)及相关的化合物为础,包括蓝,绿,紫外发光二极管(led),近紫外激光,射频(rf)及微波器件,功率开关器件及适用于生产及科研的碳化(si

  http://blog.alighting.cn/b789456123013/archive/2011/4/16/165818.html2011/4/16 19:03:00

全球led芯片品牌名单汇总

c),氮化(gan),(si)及相关的化合物为础,包括蓝,绿,紫外发光二极管(led),近紫外激光,射频(rf)及微波器件,功率开关器件及适用于生产及科研的碳化(sic)外延

  http://blog.alighting.cn/wan/archive/2011/12/14/257862.html2011/12/14 11:51:55

2015,led的中国速度

回首2014,盼之已久的led照明时代终于来临了。看似一场盛宴,却因为赴宴的人太多,于是马太效应发生了,大的更大,小的更小,好的更好,差的更差。有人击掌欢呼,有人扼腕叫苦,有人失联

  https://www.alighting.cn/news/20150305/83169.htm2015/3/5 13:52:18

高温预生长对图形化蓝宝石衬底gan 薄膜质量的提高

在图形化蓝宝石衬底生长低温缓冲层之前,通入少量三甲(tmga)和大量氨气进行短时间的高温预生长,通过改变tmga 流量制备了4 个蓝光led 样品。

  https://www.alighting.cn/2014/10/13 11:35:44

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