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确不尽相同，它将倒装焊芯片的衬底变为发光表面，电极与硅热沉芯片贴合，因此倒装焊芯片与硅基片的热沉区很接近，散热效果增加，大电流驱动也不会有余热，所以芯片面积可以加大1mm×1mm，也
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126776.html2011/1/9 21:14:00
0万元专项用于扶持硅衬底led技能的优化和运用开发。驻昌led公司和自己请求的发明专利、实用新型专利、外观设计专利取得授权后，我市对其按口径别离给予5000元、1000元、500
http://blog.alighting.cn/184907/archive/2013/7/20/321420.html2013/7/20 11:31:40
业的一个较完整的产业链。在上游衬底和外延片生产工艺上，晶能光电以南昌大学为技术依托，开辟的半导体发光材料领域的第三条技术路线硅衬底的led技术，打破了此前日本日亚公司垄断蓝宝石衬
http://blog.alighting.cn/cqlq123/archive/2012/8/30/288681.html2012/8/30 19:16:16
用下硅氢加成硫化成型,获得折射率n2d51.5000,透光率大于90%(400 nm~800 nm,10 mm)的凝胶型发光二级管(led)封装材
https://www.alighting.cn/resource/20110914/127153.htm2011/9/14 9:13:11
https://www.alighting.cn/resource/20110829/127241.htm2011/8/29 15:54:05
衬底 - 结构设计 - 缓冲层生长 - n型gan层生长 - 多量子阱发光层生 - p型gan层生长 - 退火 - 检测（光荧光、x射线） - 外延片 外延片- 设计、加工
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120508.html2010/12/13 22:43:00
对在sic衬底上采用mocvd方法制备的gan和gan：mg薄膜进行x射线衍射、扫描电镜和拉曼散射光谱的进行了对比研究。
https://www.alighting.cn/resource/20150316/123470.htm2015/3/16 14:53:52
对在sic衬底上采用mocvd方法制备的gan和gan：mg薄膜进行x射线衍射、扫描电镜和拉曼散射光谱进行了对比研究。
https://www.alighting.cn/resource/20141223/123875.htm2014/12/23 11:11:59
同传统led相比，gan同质衬底技术能实现更好的显色性能和白光准确度，并具有每晶元流明优势。
https://www.alighting.cn/resource/20141204/123974.htm2014/12/4 11:26:50
研究结果表明：采用较厚的蓝宝石衬底喝引入ain缓冲层均有利于led光提取效率的提高。
https://www.alighting.cn/resource/20141027/124165.htm2014/10/27 11:29:03
