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路。潜在性失 效则可使 led 的性能参数劣化，例如漏电流加大，一般 GaN 基 led 受到静电损伤后所形成的隐患并无任何方法可 治愈。 3 、复杂性 : 在静电放电的情况下，起放
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262604.html2012/1/29 0:33:07
界范围内GaN基led产业发展来看，前五大公司美国cree,德国osram，荷兰philips，日本nichia以及toyodagosei等五家公司拥有80%～90%的原创性发明专
http://blog.alighting.cn/112017/archive/2012/2/16/264206.html2012/2/16 11:20:52
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271706.html2012/4/10 23:23:29
期寿命试验，目前的做法基本上形成如下共识：因GaN基的led器件开始的输出光功率不稳定，所以按美国assist联盟规定，需要电老化1000小时后，测得的光功率或光通量为初始值。之后
http://blog.alighting.cn/chhi008/archive/2013/2/2/309248.html2013/2/2 8:43:51
球首家量产硅基大功率led芯片的公司”成功入选了“全球半导体照明2012年度新闻”。“全球半导体照明年度新闻”是全球半导体照明领域最具影响力的新闻事件，此次新闻事件充分体现了硅基大
http://blog.alighting.cn/zszmzk/archive/2012/11/19/298630.html2012/11/19 11:11:30
田村制作所及其子公司光波公司近日展出了其开发的使用氧化镓(β-ga2o3)的白色led。该led由在β型-a2o3基板上制作的GaN类半导体蓝色led芯片上组合使用荧光体。其不同
https://www.alighting.cn/pingce/20130122/121938.htm2013/1/22 9:15:25
近些年来，随着gap、GaN系ⅲ-v族化合物半导体的结晶成长工艺技术及纳米技术的进步，led的光效和大功率集成技术都有了很大的提高，led已经开始在照明领域里初步应用，出现了le
https://www.alighting.cn/resource/2008429/V15378.htm2008/4/29 13:25:44
led外延作为led产业链的核心环节，从2009年开始，在中国下游应用市场高速发展的带动下，中国GaN mocvd数量开始爆发性增长，使得中国led外延产业得到快速发展。2010
https://www.alighting.cn/news/20111121/n384835887.htm2011/11/21 11:31:27
本文主要阐述了algainp led和GaN led芯片技术的研究发展情况及其led外部量子效率低的现状，介绍了改善电注入效率和提高芯片出光效率的几种方法，如芯片塑形、表面粗化
https://www.alighting.cn/resource/2012/11/22/135022_85.htm2012/11/22 13:50:22
出。该led由在β型-a2o3基板上制作的GaN类半导体蓝色led芯片上组合使用荧光
https://www.alighting.cn/news/2013122/n276448351.htm2013/1/22 14:18:06
