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路。潜在性失 效则可使 led 的性能参数劣化，例如漏电流加大，一般 GaN 基 led 受到静电损伤后所形成的隐患并无任何方法可 治愈。 3 、复杂性 : 在静电放电的情况下，起放
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271706.html2012/4/10 23:23:29
期寿命试验，目前的做法基本上形成如下共识：因GaN基的led器件开始的输出光功率不稳定，所以按美国assist联盟规定，需要电老化1000小时后，测得的光功率或光通量为初始值。之后
http://blog.alighting.cn/chhi008/archive/2013/2/2/309248.html2013/2/2 8:43:51
球首家量产硅基大功率led芯片的公司”成功入选了“全球半导体照明2012年度新闻”。“全球半导体照明年度新闻”是全球半导体照明领域最具影响力的新闻事件，此次新闻事件充分体现了硅基大
http://blog.alighting.cn/zszmzk/archive/2012/11/19/298630.html2012/11/19 11:11:30
田村制作所及其子公司光波公司近日展出了其开发的使用氧化镓(β-ga2o3)的白色led。该led由在β型-a2o3基板上制作的GaN类半导体蓝色led芯片上组合使用荧光体。其不同
https://www.alighting.cn/pingce/20130122/121938.htm2013/1/22 9:15:25
近些年来，随着gap、GaN系ⅲ-v族化合物半导体的结晶成长工艺技术及纳米技术的进步，led的光效和大功率集成技术都有了很大的提高，led已经开始在照明领域里初步应用，出现了le
https://www.alighting.cn/resource/2008429/V15378.htm2008/4/29 13:25:44
led外延作为led产业链的核心环节，从2009年开始，在中国下游应用市场高速发展的带动下，中国GaN mocvd数量开始爆发性增长，使得中国led外延产业得到快速发展。2010
https://www.alighting.cn/news/20111121/n384835887.htm2011/11/21 11:31:27
本文主要阐述了algainp led和GaN led芯片技术的研究发展情况及其led外部量子效率低的现状，介绍了改善电注入效率和提高芯片出光效率的几种方法，如芯片塑形、表面粗化
https://www.alighting.cn/resource/2012/11/22/135022_85.htm2012/11/22 13:50:22
出。该led由在β型-a2o3基板上制作的GaN类半导体蓝色led芯片上组合使用荧光
https://www.alighting.cn/news/2013122/n276448351.htm2013/1/22 14:18:06
术(metalbonding)，将led磊晶晶圆从gaas或GaN长晶基板移走，并黏合到另一金属基板上或其它具有高反射性及高热传导性的物质上面，帮助大功率led提高取光效率及散热能
https://www.alighting.cn/resource/20140716/124444.htm2014/7/16 9:52:01
与sic和GaN相比，β-ga2o3有望以低成本制造出高耐压且低损失的功率半导体元件，因而引起了极大关注。契机源于日本信息通信研究机构等的研究小组开发出的β-ga2o3晶体管。下
https://www.alighting.cn/2012/4/19 18:06:25
