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用在很多的实际应用上，包括宝石检验、货币检查等。晶体管额定少于在3v栅极驱动。ic1同时驱动q1和q2。该电路只需要一个控制器并利用现成的电感器。第一阶段电感和滤波电容器可以产生很
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133810.html2011/2/19 23:08:00
了一系列的电路。电路设计者通过减少使用体积较大的部件，如外部晶体管，开关，大容量电容以及限流电阻等，并在维持正常运作的情形下尽可能将高亮度的灯光传递地越远越好，以此来达到高效及小型
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133799.html2011/2/19 23:04:00
器件(见图)代替标准led。闪烁led被用来设置 “被控”标准led闪烁的频率。当闪烁led导通时，晶体管通过47欧姆电阻感应通过它的电流。然后，晶体管的集电极电流驱动标准le
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133792.html2011/2/19 22:52:00
器进行吸收，散热器若设计无法达到处理器的要求，那么硅晶体就会因温度过高而损毁。因此tdp也是对散热器的一个性能设计要求。 人们也习惯用热阻抗值来对散热器的性能进行标识 热阻抗值rc
http://blog.alighting.cn/tangjunwen/archive/2011/2/18/133421.html2011/2/18 13:35:00
其产品的国际领先性标志着新兴行业领域的话语权和未来国际国内市场的占有率。近年来，日本“21世纪光计划”、美国“下一代照明计划”、欧盟“彩虹计划”、韩国“GaN半导体发光计划”等政
http://blog.alighting.cn/lanjianghong/archive/2011/2/16/133169.html2011/2/16 13:53:00
业内人士介绍：替换基板的led芯片制造工艺是，先在蓝宝石基板上使GaN系半导体结晶外延生长，然后将mo基板或mocu基板粘贴在GaN系半导体结晶上。随后揭下蓝宝石基板，切割成le
https://www.alighting.cn/pingce/20110211/123079.htm2011/2/11 13:03:34
用于氮化镓生长的最理想的衬底自然是氮化镓单晶材料，这样可以大大提高外延膜的晶体质量，降低位错密度，提高器件工作寿命，提高发光效率，提高器件工作电流密度。可是，制备氮化镓体单晶材
https://www.alighting.cn/resource/20110211/128058.htm2011/2/11 10:38:56
veeco相关人士指出，“maxbright的价值主张是明确的：它是最高的生产力mocvd系统制造高亮度led市场上。该架构支持单腔或多腔层的生长能力，提高led结构过程的灵活性高
https://www.alighting.cn/news/2011210/n132830261.htm2011/2/10 18:35:34
近日，世界级mocvd厂商-veeco宣布：其引进的turbodisc ? maxbright?氮化镓(GaN)有机金属化学气相沉积法(mocvd)多反应器系统，用于生
https://www.alighting.cn/pingce/20110210/123082.htm2011/2/10 13:30:04
据台湾媒体报道，中美晶总经理徐秀兰于21日成立30周年宣布，公司已成功开发出全台湾最大尺寸的蓝宝石晶体，此晶体直径达12寸，重量达90kg，为目前全世界最大的蓝宝石晶体量产尺寸之
https://www.alighting.cn/pingce/20110123/123089.htm2011/1/23 11:34:39
