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品率及成本控制上具有相当大地优势。?将其应用在niChia的芯片生产上,可马上提升其产品??30%~50%,在相关材?技术尚无法有效突破之际,对niChia在提升产品??上可望具相
http://blog.alighting.cn/sqslove/archive/2010/2/27/34524.html2010/2/27 15:45:00
作程序及基本规范:1) 函电:1. 每日8:30上班将先行检查询电子邮件,并每日定时11:00,16:00查询电子邮件,以跟进内部信息或客户来函。按邮件紧迫性并结合本人前一天计
http://blog.alighting.cn/sqslove/archive/2010/2/27/34517.html2010/2/27 15:12:00
示,led tv晶片用量是笔电(nb)30倍,今年tv需求是目前产能4倍,从目前全球产业界扩产规模预估,今年晶粒仍然供不应求,甚至2012年前还是缺。 目前中国led产业已
http://blog.alighting.cn/sqslove/archive/2010/2/27/34513.html2010/2/27 15:06:00
段 (2013~2015年): 目标:至2015年,半导体照明进入30%通用照明市场。预期年节电1400亿度。并且带动半导体照明产业规模达到rmb 5000亿元,出口300亿美元。创
http://blog.alighting.cn/sqslove/archive/2010/2/27/34510.html2010/2/27 15:02:00
管,它的伏安特性具有负温度系数的特点。 图3. 伏安特性的温度特性 温度系数通常是-2mv/度(-1.5—2.5mv/°C),也就是随着温度的升高,其伏安特性左移,假如所
http://blog.alighting.cn/sqslove/archive/2010/2/27/34502.html2010/2/27 14:56:00
如设计台灯等产品需要这样时。4、欧洲zetex公司—zxld1350 这颗iC目前市场反应良好,也是sot23小体积封装,输入7-30v电压降压恒流驱动1-7psC led,线
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起生产出了单个20w、30w或50w或100w甚至更高功率的led,尽管在封装前这些单个的led都严格做了挑选和配对,但由于内部数量少则有几十颗、多则几百颗单体led,因此封装后的大
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接:烙铁(最高30w)尖端温度不超过300℃,焊接时间不超过3秒,焊接位置至少离胶体2毫米。 2.波峰焊:浸焊最高温度260℃,浸焊时间不超过5秒,浸焊位置至少离胶体2毫
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示。 图6 sepiC工作原理图 图6中sepiC电路工作可以分为两个阶段:a. q1管导通阶段,电流流过l1并且线性增加,C1电容通
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3和en61547标准,包括了电磁干扰度(emi)和电磁敏感度(ems)两个方面. 照明灯具25w以下C类谐波标准,eft的1000v脉冲群测试,esd的2000v静电测试,高
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