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③过低的频率一般都不适合采用脉冲变压器,因而可能会增加体积。鉴于这些问题.这里采用分立元件构建自举驱动电路的方案,该方案虽会增加元件数量,但不会增加太多的电路面积,而且还可增加设
http://blog.alighting.cn/1193/archive/2007/11/26/8016.html2007/11/26 19:28:00
灯。每串的电流偏差小于±1%,确保亮度均衡。这系统适合不同通道的led不同前向电压,能保证每串的电流恒定。如果一只或多只led开路或短路,分立的反馈环对输出电压进行限制。改变反馈电
http://blog.alighting.cn/sandyxia/archive/2010/8/12/85656.html2010/8/12 22:45:00
2sk2231资料详解 技术/目录资讯:2sk2231 供应商:东芝 分类:分立半导体产品 安装类型:通孔 场效应管的极性:n沟道 漏极至源极电压:60v 电
http://blog.alighting.cn/neemo22/archive/2010/12/10/119758.html2010/12/10 22:09:00
成了mosfet的led驱动器产品,因为这样做的好处是集成mosfet的导通电阻少,产生的热量要比分立的少,另外,就是集成的mosfet是控制器和fet在一起,一般都有过热关断功
http://blog.alighting.cn/110231/archive/2011/11/17/254064.html2011/11/17 14:27:25
数,主要是下面4个方面,即led使用寿命、发光效率、显色指数、相对色温等。要提升led品质,必须从上述四方面着手,本文从led器件封装角度出发,重点讨论通过封装方面的热管理,来达到提
http://blog.alighting.cn/www.msd-led.cn/archive/2012/10/6/292198.html2012/10/6 9:46:43
研究发现,在合适应力下,外量子效率可提高两倍以上,达到5.92%。iv曲线在正负偏压下的非对称变化表明器件性能的提高主要由具有极性的压电效应引起,而不是由非极性的压阻和接触效应引
https://www.alighting.cn/2013/8/13 10:38:53
将硅(si)衬底上外延生长的氮化镓(gan)基led薄膜,通过电镀的方法转移到铜支撑基板、铜铬支撑基板以及通过压焊的方法转移到新的硅支撑基板,获得了垂直结构蓝光led器件,并对
https://www.alighting.cn/2013/4/7 17:06:00
本文为led前瞻技术与市场研讨会中,佛山市中山大学研究院院长博士研究生导师王钢教授带来了《高显色指数led集成光源模组技术研究及产业化》的研究报告,王钢教授认为: led器件集
https://www.alighting.cn/resource/20111125/126854.htm2011/11/25 10:10:54
理与外延技术、mocvd设备(整机/部件/配件/原材料)、材料结构与物性、光电子器件、电力电子器件、微波射频器件、led智能照明与物联网、半导体激光器、光伏/光探测器、可见光通信技
https://www.alighting.cn/news/20200616/169243.htm2020/6/16 10:42:55
2014年10月16日,全球领先的半导体器件制造商三星电子日前推出全新1w级高光效中功率led产品 - lm302a。
https://www.alighting.cn/pingce/20141016/n992366446.htm2014/10/16 12:03:04