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半导体照明灯具主要技术及发展趋势

由于单只led功率小，光亮度低，不宜单独使用，为此必须将多个led组装在一起设计成为实用的led照明系统。但目前白光led与通用照明的要求还有一定的距离，还存在诸多技术与成本问题急

https://www.alighting.cn/news/2009911/V20893.htm2009/9/11 16:49:01

解读2014年led行业五大领域发展特点

转眼2014年已经进入最后一个月，这一年来led整个行业呈现怎样的特点，我们从五大细分领域来分析。

https://www.alighting.cn/news/20141205/86625.htm2014/12/5 10:05:51

led芯片的技术发展状况

对于标准管芯（200-350μm2），日本日亚公司报道的最高研究水平，紫光（400 nm）22 mw，其外量子效率为35.5%，蓝光(460 nm) 18.8 mw，其外量子效率

http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233173.html2011/8/20 0:23:00

led芯片的技术发展状况

对于标准管芯（200-350μm2），日本日亚公司报道的最高研究水平，紫光（400 nm）22 mw，其外量子效率为35.5%，蓝光(460 nm) 18.8 mw，其外量子效率

http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258474.html2011/12/19 10:55:33

led芯片的技术发展状况

对于标准管芯（200-350μm2），日本日亚公司报道的最高研究水平，紫光（400 nm）22 mw，其外量子效率为35.5%，蓝光(460 nm) 18.8 mw，其外量子效率

http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261588.html2012/1/8 21:54:41

led芯片的技术发展状况

对于标准管芯（200-350μm2），日本日亚公司报道的最高研究水平，紫光（400 nm）22 mw，其外量子效率为35.5%，蓝光(460 nm) 18.8 mw，其外量子效率

http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262764.html2012/1/29 0:43:37

led芯片的技术发展状况

对于标准管芯（200-350μm2），日本日亚公司报道的最高研究水平，紫光（400 nm）22 mw，其外量子效率为35.5%，蓝光(460 nm) 18.8 mw，其外量子效率

http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268364.html2012/3/15 21:57:37

led芯片的技术发展状况

对于标准管芯（200-350μm2），日本日亚公司报道的最高研究水平，紫光（400 nm）22 mw，其外量子效率为35.5%，蓝光(460 nm) 18.8 mw，其外量子效率

http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271148.html2012/4/10 20:57:39

led芯片的技术发展状况

对于标准管芯（200-350μm2），日本日亚公司报道的最高研究水平，紫光（400 nm）22 mw，其外量子效率为35.5%，蓝光(460 nm) 18.8 mw，其外量子效率

http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279482.html2012/6/20 23:06:16

华中最大的led生产基地将在武汉黄陂投建

武汉经济发展投资（集团）有限公司（简称：经发投资集团）、武汉长江通信产业集团有限公司（简称：长江通信）、深圳市长光半导体照明科技有限公司（简称：长光照明）在 “2009中国（武

https://www.alighting.cn/news/20091207/108404.htm2009/12/7 0:00:00

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