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德国爱思强股份有限公司今日宣布，与波兰华沙大学签订mocvd 系统新订单。根据合同，华沙大学订购了一台3x2 英寸规格的近耦合喷淋头(ccs)反应器，将用于氮化镓(gan)材
https://www.alighting.cn/news/20120509/113375.htm2012/5/9 10:36:35
三星高级技术研究所(samsung advanced institute of technology)已经成功地利用无定形玻璃基材制造出单晶氮化镓(gan)，这是一个重要的里程碑
https://www.alighting.cn/news/20111011/114471.htm2011/10/11 9:58:44
出货量下降的原因可以归结为氮化镓基led的应用市场疲软、led芯片供大于求、信贷紧缩以及中国补贴政策的取消等方面。而令人振奋的是，用于硅衬底gan基led外延片制备的mocvd设
https://www.alighting.cn/news/20111123/114479.htm2011/11/23 13:46:03
据日经新闻23日报导，三菱化学(mitsubishi chemical)计划于今(2012)年10月开始量产使用于led的氮化镓(gan)基板，因其电光转换率高(将电力转换成
https://www.alighting.cn/news/20120223/114925.htm2012/2/23 9:48:18
德国欧司朗(osram)公司日前成功地将氮化镓发光材料层置于直径为150毫米的矽晶圆基板上，制造出高性能蓝白光发光二极管(led)原型矽芯片。这是世界上首次利用矽晶圆基板取代蓝宝
https://www.alighting.cn/news/20120222/115018.htm2012/2/22 9:43:03
及固态照明应用的基于氮化镓的高亮度蓝光、白光le
https://www.alighting.cn/news/20110520/115244.htm2011/5/20 10:26:51
近日，普瑞光电推出第三代先进led阵列产品，包括行业领先的ls、es和屡获殊荣的rs产品系列。新一代产品采用了氮化镓外延层生长、led芯片设计和包装工艺方面最新的技术，与前代产
https://www.alighting.cn/news/20110520/115245.htm2011/5/20 10:16:00
普瑞公司已经大大提高了硅衬底led芯片的流明/瓦，光色和显色指数等性能，而这些性能的高低直接决定了led芯片质量的好坏。在今年三月，普瑞公司宣布其硅衬底氮化镓led发展战略
https://www.alighting.cn/news/20110810/115411.htm2011/8/10 9:31:44
台积电旗下创投vtaf公司投资的美国led大厂普瑞光电于3月25日宣布，该公司运用“氮化镓上矽”(gan-on-silicon)的led技术，已达成每瓦135流明之效能。这代表普
https://www.alighting.cn/news/20110329/116855.htm2011/3/29 11:33:52
议，mcc将可制造、贩卖独立的氮化镓(gan)基板，并有权签订类似专利范围的再授权协议(similarly-scoped sublicense
https://www.alighting.cn/news/20090116/117883.htm2009/1/16 0:00:00
