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入iii、ii族金属元素的烷基化合物(甲基或乙基化物)蒸气与非金属(v或vi族元素)的氢化物(或烷基物)气体,在高温下,发生热解反应,生成iii-v或ii-vi族化合物沉积在衬
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229946.html2011/7/17 23:29:00
好。a.环氧胶固化的两个重要参数环氧树脂贴片胶的热固化,其实质是固化剂在高温时催化环氧基因。开环发生化学反应。因此固化过程中,有两上重要参数应引起注意：一是起始升温速率；二是峰值温
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229945.html2011/7/17 23:28:00
高的驱 动频率会降低el灯片的使用寿命,高湿和高温的环境同样会降低发光灯的使用寿命。需要指出的是,驱动电压所引入的直流分量会极大的减少el灯片的寿命,某 些el驱动器采用一端接el灯
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229944.html2011/7/17 23:27:00
子转移；物体间的接触和分离产生电子转移；电磁感应造成物体表面电荷的不平衡分布；摩擦和电磁感应的综合效应。静电电压是由不同种类的物质相互接触与分离而产生。这种效应即是大家熟知的摩擦起
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229941.html2011/7/17 23:26:00
把晶粒上蚀刻出的一些引接线端与基座底部伸出的插脚连接,以作为与外界电路板连接之用,最后盖上塑胶盖板,用胶水封死。其目的是用以保护晶粒避免受到机械刮伤或高温破坏。到此才算制成了一块集
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229935.html2011/7/17 23:24:00
度和气氛中易分解和腐蚀。目前,zno半导体材料尚不能用来制造光电子器件或高温电子器件,主要是材料质量达不到器件水平和p型掺杂问题没有得到真正解决,适合zno基半导体材料生长的设备尚
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要因素是表面 粘着led最早面临的问题是无法完成高温红外线下焊锡回流的步骤。led的比热较ic低,温度升高时不仅会造成亮度下降,且超过摄氏100度时将加速组件 的劣化。led封装时使
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229896.html2011/7/17 23:03:00
变mosfet的开启时间来控制电流进入led。电流感应可通过测量电阻器两端的电压获得,其中该电阻器应与led串联。对该方法来说,重要的设计难题是如何驱动mosfet。从性价比的角度来说,推
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229885.html2011/7/17 22:55:00
率工作,高侧fet在一个时钟 周期打开,使电流流过电感,电感电流上升产生通过感抗的电压降,这个压降通过电流感应放大器放大,来自电流感应放大器的电压被加到pwm比较器输入端,和误差放大
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高温或内部功耗产生的过多热量可能改变电子元件 的特性并导致其关机、在指定工作范围外工作,甚或出现故障。电源管理 器件(及其相关电路)经常会遇到这些问题,因为输入与负载之间的任何功
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