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碳化硅(sic)是继第一代半导体材料和第二代半导体材料砷化镓(gaas)后发展起来的第三代半导体材料。
https://www.alighting.cn/resource/20110714/127426.htm2011/7/14 17:32:28
安的正向电流，红黄光类led的vf值约为2伏，而GaN基兰绿光类led 器件的vf值通常大于3伏。 反向漏电流ir是指给定的反向电压下流过器件的反向电流值， 这个值的大小十
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120381.html2010/12/13 14:28:00
降低成本第二个有效因素是怎样使得功率器件与标准cmos制造工艺和工具兼容。imec的新技术展示了使用标准cmos工艺生产GaN mishemts，并验证了所有的设备仅仅只要求在软
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/6/4/188291.html2011/6/4 14:34:00
用GaN制造的蓝光led。蓝光led的开发使得有较宽光谱宽度的白光led研制成为可能。 目前，白光led通常是将GaN的蓝色led和钇铝石榴石荧光粉相结合，或者用红光led、绿
http://blog.alighting.cn/1062/archive/2007/11/26/8309.html2007/11/26 19:28:00
http://blog.alighting.cn/146439/archive/2012/7/19/282509.html2012/7/19 10:34:30
造在衬底的底部，电流能够通过低阻导电衬底的垂直流动，也为发展其它光电子器件奠定了基础。此公司在sic上生长GaN基led无论是小尺寸芯片蓝光led和紫光led还是大尺寸蓝光led和紫
http://blog.alighting.cn/108092/archive/2012/2/4/263597.html2012/2/4 14:50:22
采用低温ain作为缓冲层,在(1102)γ面蓝宝石和(0001)с面蓝宝石上分别生长了(1120)非极性α面和(0001)极性с面GaN,用原子力显微镜和高分辨x射线衍射、光致发
https://www.alighting.cn/resource/20110817/127304.htm2011/8/17 11:37:33
功率led由于芯片的功率密度很高，器件的设计者和制造者必须在结构和材料等方面对器件的热系统进行优化设计。目前GaN基外延衬底材料有两大类：一类是以日本日亚化学为代表的蓝宝石；一
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120872.html2010/12/14 21:48:00
本文简要阐述了led封装技术的9点发展趋势。
https://www.alighting.cn/2012/8/21 13:57:00
详细分析了照明用大功率led的封装技术,在大量实验的基础上,提出了一些具体的解决方案,设计了独特的封装结构.介绍了在色度稳定性与均匀性、改善散热条件等方面所作的探索,并对led驱动
https://www.alighting.cn/2012/3/13 13:41:38
