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术(metalbonding)，将led磊晶晶圆从gaas或GaN长晶基板移走，并黏合到另一金属基板上或其它具有高反射性及高热传导性的物质上面，帮助大功率led提高取光效率及散热能
https://www.alighting.cn/resource/20140716/124444.htm2014/7/16 9:52:01
与sic和GaN相比，β-ga2o3有望以低成本制造出高耐压且低损失的功率半导体元件，因而引起了极大关注。契机源于日本信息通信研究机构等的研究小组开发出的β-ga2o3晶体管。下
https://www.alighting.cn/2012/4/19 18:06:25
给 GaN (氮化镓) 沉积带来不利影响，从而使得该材料在高质量led应用方面受到限
https://www.alighting.cn/2012/2/27 10:20:04
镓 GaN)会因基材(如刚玉 al2o3)晶格的不整合产生极多的缺陷(如 109/cm2)，这些缺陷限制了内部量子效应(internal quantum efficiency)的发
https://www.alighting.cn/resource/20110714/127425.htm2011/7/14 18:06:28
近些年来，随着gap、GaN系ⅲ-v族化合物半导体的结晶成长工艺技术及纳米技术的进步，led的光效和大功率集成技术都有了很大的提高，led已经开始在照明领域里初步应用，出现了le
https://www.alighting.cn/news/2008429/V15378.htm2008/4/29 13:25:44
ims research 6月发布的上一季度报告中，由于今年上半年供应过剩增加，lcd和led面板增长缓慢以及照明市场成本没有竞争力使得2011年上半年asp降低，GaN le
https://www.alighting.cn/news/20110816/90334.htm2011/8/16 10:35:28
科学家们在美国能源部的资助下，借用最先进的理论计算证明，在氮化镓(GaN)化合物中，2%的氮化镓由锑(sb)替代，这样结合而成的新合金将拥有适宜的电学特性。当其浸入水中并暴露于阳
https://www.alighting.cn/news/20110913/100147.htm2011/9/13 10:42:07
由于半导体照明产业潜藏着巨大的经济和社会效益，许多国家和地区纷纷制定了发展计划，例如美国“国家半导体照明研究计划”、日本“21世纪光计划”、韩国“GaN半导体开发计划”、欧盟“彩
https://www.alighting.cn/news/20070803/101061.htm2007/8/3 0:00:00
件。这是一份有关俄罗斯照明计划的文件，为下一代基于GaN半导体芯片的新型普通照明创建一个高技术的工业生产体系。终端产品是led芯片、led灯和照明系统，其亮度堪比当今最好的灯具。le
https://www.alighting.cn/news/20081224/101146.htm2008/12/24 0:00:00
德国欧司朗光电半导体(osram opto semiconductors gmbh)开发出了新型led结构「ux:3」。该结构不仅能够大幅提高蓝色led等GaN类led的外部量
https://www.alighting.cn/news/20101014/105146.htm2010/10/14 0:00:00
