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一份出自北京大学，关于《激光剥离垂直结构和基于介覌光子学GaN基led》的技术资料，现在分享给大家，欢迎下载附件。
https://www.alighting.cn/2013/4/2 16:21:00
市工信委有关负责人表示，贵阳市正在以蓝宝石晶锭为出发点，延伸到蓝宝石晶棒生长和衬底加工、外延片制作、芯片制造等整个上游产业链，与中、下游企业一起打造贵州led光电产业集群。据业内人
http://blog.alighting.cn/zszmzk/archive/2013/4/1/313075.html2013/4/1 11:36:37
个led照明的技术核心掌握在上游，比如我们厚度仅有460m的2寸外延片上，就镶了超过3万颗芯片。但对于中下游的封装、组装等环节来说，技术要求却并不高。” 清华大学半导体照明实验
http://blog.alighting.cn/zszmzk/archive/2013/4/1/313071.html2013/4/1 11:32:26
目前，我国高光效、高可靠的led原材料几乎全部依赖进口，高档外延芯片生产工艺核心技术受制于人，特别是上游芯片专利技术大部分被日、美等国外大厂商掌握。随着led专利战硝烟四起，国
https://www.alighting.cn/news/201341/n351650233.htm2013/4/1 10:34:04
现缺陷、裂纹、晶片弯曲等。衬底的质量直接影响着外延层的晶体质量，从而影响光效和寿命。如果采用GaN同质衬底进行外延生长，利用非极性技术，可最大限度地减少活性层的缺陷，使得led芯
http://blog.alighting.cn/jadsion/archive/2013/3/30/312950.html2013/3/30 9:57:21
对大功率GaN基白光led在85℃下进行了高温加速老化实验。经6 500 h的老化,样品光通量退化幅度为28%～33%。样品的i-v特性变化表明其串联电阻和反向漏电流不断增大,原
https://www.alighting.cn/resource/20130329/125786.htm2013/3/29 11:28:17
d芯片esd性能的影响机制，指出改善led芯片esd性能的关键方法，并介绍了外延改善led芯片esd性能的前沿研究情
https://www.alighting.cn/2013/3/29 9:56:19
场，这也吸引led厂商互相竞争，而产品的价格也将成为业者致胜市场的一大关键因素。 现阶段台积固态照明硅基氮化镓与蓝宝石基板led的产品线营收比重各占50%，分别用于量产中高功率与中
http://blog.alighting.cn/157738/archive/2013/3/28/312733.html2013/3/28 15:54:16
http://blog.alighting.cn/157738/archive/2013/3/28/312728.html2013/3/28 15:50:08
以led基板（贴片光源0.06w红光530nm）单元（335×335×335mm）为基础层叠至高约2500mm塔状，通电后成红色塔，寓意led的未来。作品构思研发制作由许东亮带领团
http://blog.alighting.cn/sdj/archive/2013/3/28/312713.html2013/3/28 14:12:06
