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知，假设环境温度也确定，根据壳 温即等于环境温度，那么此时允许的p也就随之确定。 2、小功率半导体器件，比如小晶体管，ic，一般使用时是不带散热器的。所以这时就要考虑器件壳体到空
http://blog.alighting.cn/tangjunwen/archive/2011/1/21/128269.html2011/1/21 11:54:00
利的启动和正常地工作，现在的应急转换器都采用晶体器件使直流供电的变压器的初级绕组反复地接通和断开以获得交流电压，从而从变压器次级得到灯工作所需的较高电压，为了减少变压器的尺寸，避免音
http://blog.alighting.cn/quhua777847/archive/2011/1/18/127915.html2011/1/18 7:32:00
ccs-mocvd系统生长了inGaN/GaN mqw蓝光led外延片。通过实验，对两片样品外延片进行了分析和测试，发现衬底氨化时间的长短和生长GaN缓冲层镓量与氨量的化学计量
https://www.alighting.cn/resource/20110117/128080.htm2011/1/17 15:03:18
造工业带来了诸多挑战。它们的制造是通过复杂的晶体外延生长的方式得到的,比如金属有机化学气相沉积(mocvd)技术,该加工技术非常复杂,它有赖于化学反应来实现晶体生长,而不是物理沉
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127094.html2011/1/12 17:25:00
.86的黄光 led等。由于製造採用了镓、砷、磷三种元素，所以俗称这些led为叁元素发光管。 而GaN(氮化镓)的蓝光 led 、gap 的绿光 led和gaas红外光le
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127092.html2011/1/12 17:24:00
膜出现龟裂，晶格常数差会在GaN外延层中造成高的位错密度;另外si衬底led还可能因为si与GaN之间有0.5v的异质势垒而使开启电压升高以及晶体完整性差造成p型掺杂效率低，导致串
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127090.html2011/1/12 17:23:00
采用的基片根据led的发光波长不同而区分使用。如果是蓝色led和白色led等GaN类半导体材料的led芯片，则使用蓝宝石、sic和si等作为基片，如果是红色led等采
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127074.html2011/1/12 17:16:00
、晶圆处理工序 本工序的主要工作是在晶圆上制作电路及电子元件（如晶体管、电容、逻辑开关等），其处理程序通常与产品种类和所使用的技术有关，但一般基本步骤是先将晶圆适当清洗，再在
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127001.html2011/1/12 0:49:00
行探索。由于GaN材料的电荧光对晶体缺陷并不敏感，因此人们预期在si衬底上异质外延生长ⅲ族氮化物发光器件在降低成本方面具有明显的技术优势。 人们还期待使用si衬底今后还有可能
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/126998.html2011/1/12 0:46:00
围绕GaN类蓝色led的相关专利，大型led厂商曾在日本以及海外展开过诉讼。1996年日亚化学工业以丰田合成侵犯了该公司专利为由对后者提起诉讼，为了与之对抗，丰田合成也起诉了日
https://www.alighting.cn/resource/20110111/128088.htm2011/1/11 15:46:14
