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lED百科

将gan芯片和钇铝石榴石(yag)封装在一起做成。gan芯片发蓝光(λp=465nm,wd=30nm),高温烧结制成的含ce3+的yag荧光粉受此蓝光激发后发出黄色光射,峰值55

  http://blog.alighting.cn/lanyunsz/archive/2011/7/6/228855.html2011/7/6 17:44:00

lED风起云涌 核心技术决定最终输赢

学和丰田合成在lED发展中占有重要地位,都形成了lED完整的产业链,其中日亚化学1994年第一个生产出蓝光芯片,并在蓝宝石衬底技术路线专利技术方面具有垄断优势。美国cree(科

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229814.html2011/7/17 20:57:00

lED主要参数与特性

细介绍。  1、lED电学特性  1.1 i-v特性  表征lED芯片pn结制备性能主要参数。lED的i-v特性具有非线性、整流性质:单向导电性,即外加正偏压表现低接触电阻,反之为

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229836.html2011/7/17 22:29:00

体育场馆lED显示屏功能及质量要求分析

 1.1 高标准的材料  发光材料。发光材料是显示屏特别是全彩色显示屏最重要的材料,是保证显示屏显示效果和高可靠性、长寿命的关键,主要参考指标是亮度和均匀性。  控制驱动芯片。控

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229843.html2011/7/17 22:33:00

lED外延片(衬底材料)介绍

芯片以及存储器应用方面的闪速存储器和dram(动态随机存取存储器)。分立半导体用于制造要求具有精密si特性的元件。“奇异”(exotic)半导体类包含一些特种产品,它们要用非s

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229934.html2011/7/17 23:23:00

lED生产过程中的湿度控制

式包括树脂从芯片或引脚框的内部分离(脱层)、导线损伤、芯片损伤和不会延伸到元件表面的内部裂纹等。在一一些极端的情况中,裂纹会延伸到元件的表面;最严重的情况就是元件鼓胀和爆裂(叫做

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229971.html2011/7/17 23:41:00

lED背光源制作工艺简介

术作为一种替换型的技术产品存在肯定会慢慢的普及开来。下面来初步掺解lED背光源的生产工艺:a、清洗:采用超声波清洗pcb或lED导线架,并烘乾。b、装架:在lED芯片(大圆片)底部电

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229973.html2011/7/17 23:42:00

lED路灯大规模商用需解决技术成本标准三大难题

高还需要从大功率白光lED的外延技术、芯片工艺等基础层次进一步提升。在二次光学设计方面,lED的辐射形式有朗伯型、侧射型、蝙蝠翼型和聚光型几种。在道路照明领域,根据设计经验朗伯型和蝙

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230109.html2011/7/18 23:50:00

基于arm和fpga的全彩独立视频lED系统

用intelxscale系列的pxa255芯片,与arm v5te指令集兼容,沿用了arm的内存管理、中断处理等机制,并在此基础上做了一些扩展,如dma控制器、lcd控制器等。由

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230156.html2011/7/19 0:14:00

基于双cpu的三色lED实时交通信息显示系统设计

信和缓存区内数据的处理与编排,cpu2负责行扫描信号的产生和显示数据的输出。采用非易失性的存储芯片28c64存储显示内容,可存放8k字节的汉字、ascii或图形。idt713

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230166.html2011/7/19 0:21:00

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