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用的通用芯片是74hc595，具有8位锁存、串一并移位寄存器和三态输出功能。每路最大可输出35 ma的电流(不是恒流)。一般ic厂家都可生产此类芯片。 由于led是电流特性器
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120565.html2010/12/13 23:09:00
2 光通量和发光效率的测量光源的光通量φ是指单位时间内通过4π立体角的可见光能量,它的单位是lm 。发光效率e 是指光源所发出的光通量与消耗的电功率P 之比,单位是lm/
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120562.html2010/12/13 23:08:00
led外延片生长基本原理 led外延片生长的基本原理是，在一块加热至适当温度的衬底基片（主要有红宝石和sic两种）上，气态物质in,ga,al,P有控制的输送到衬底表面，生长
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120564.html2010/12/13 23:08:00
务。 新型led的最大特点是：它们由单一成分氮化镓构成。每个led包含P型氮化镓薄膜和其上的n型纳米线。因此，由相同成分形成的P-n结相比成分不同的拥有更高的效率，而且耗电量更
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及国产的晶片价格低于日、美。8、晶片大小 晶片的大小以边长表示，大晶片led的品质比小晶片的要好。价格同晶片大小成正比。9、胶体 普通的led的胶体一般为环氧树脂，加有抗紫外线及防
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120557.html2010/12/13 23:06:00
灯每米耗电40多w，而采用led每米的功率只有6-8w（以100只?led单体红、绿、蓝三色均布计算）。 3、使用寿命长 一般来讲，普通白炽灯的寿命约为1000小时，荧光灯、高
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料质量、器件指标等方面取得了重要进展。同时对gan基led的可靠性也进行了比较深入的研究。 gan基led的退化机理主要包括封装材料退化、金属的电迁移、P型欧姆接触退化、深能级与
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构设计缓冲层生长n型gan层生长多量子阱发光层生长P型gan层生长退火检测（光萤光、x射线）外延片片外延片设计、加工掩模版光刻离子刻蚀n型电极（镀膜、退火、刻蚀）P型电极（镀膜、退
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以P管s1和n管s4为例，计算开关管的宽长比。根据版图设计规则的要求，单个管子的宽长比w／l可以设定为2.8μm／0.6μm。假设s1的宽长比为x(w／l)，s4的宽长比为y(w／
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★ 先把铝型材、不锈钢或者铁皮加工成槽字——文字或标识（logo）的图样,铁皮的还要进行喷涂、烤漆等工序处理,槽字的深度一般为8cm—12cm。★ 把led光源模块用连接线
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