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led外延片生长基本原理 led外延片生长的基本原理是，在一块加热至适当温度的衬底基片（主要有红宝石和sic两种）上，气态物质in,ga,al,P有控制的输送到衬底表面，生长
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120564.html2010/12/13 23:08:00
务。 新型led的最大特点是：它们由单一成分氮化镓构成。每个led包含P型氮化镓薄膜和其上的n型纳米线。因此，由相同成分形成的P-n结相比成分不同的拥有更高的效率，而且耗电量更
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120561.html2010/12/13 23:07:00
及国产的晶片价格低于日、美。8、晶片大小 晶片的大小以边长表示，大晶片led的品质比小晶片的要好。价格同晶片大小成正比。9、胶体 普通的led的胶体一般为环氧树脂，加有抗紫外线及防
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120557.html2010/12/13 23:06:00
灯每米耗电40多w，而采用led每米的功率只有6-8w（以100只?led单体红、绿、蓝三色均布计算）。 3、使用寿命长 一般来讲，普通白炽灯的寿命约为1000小时，荧光灯、高
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120558.html2010/12/13 23:06:00
料质量、器件指标等方面取得了重要进展。同时对gan基led的可靠性也进行了比较深入的研究。 gan基led的退化机理主要包括封装材料退化、金属的电迁移、P型欧姆接触退化、深能级与
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120548.html2010/12/13 23:04:00
构设计缓冲层生长n型gan层生长多量子阱发光层生长P型gan层生长退火检测（光萤光、x射线）外延片片外延片设计、加工掩模版光刻离子刻蚀n型电极（镀膜、退火、刻蚀）P型电极（镀膜、退
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120542.html2010/12/13 23:02:00
以P管s1和n管s4为例，计算开关管的宽长比。根据版图设计规则的要求，单个管子的宽长比w／l可以设定为2.8μm／0.6μm。假设s1的宽长比为x(w／l)，s4的宽长比为y(w／
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120540.html2010/12/13 23:01:00
★ 先把铝型材、不锈钢或者铁皮加工成槽字——文字或标识（logo）的图样,铁皮的还要进行喷涂、烤漆等工序处理,槽字的深度一般为8cm—12cm。★ 把led光源模块用连接线
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120538.html2010/12/13 23:00:00
x0.8mm），这些保险丝最大允许电流为：1206型7安培，0603型5安培。这些晶片保险丝可提供与电池组、移动电话、笔记本、lcd监视器、Pda和调制解调器匹配良好的紧凑设计。当
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120526.html2010/12/13 22:55:00
聚乙炔、聚噻吩及其衍生物的有机共轭聚合物。近年来，人们发现在发光与其它性能都比较优良的聚合物中，电致发光薄膜材料有Pbd,PbP,Prl,Pmma,PPv, P vcz等。 在国
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120520.html2010/12/13 22:52:00
