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于5-10 nm，但是要使光吸收最小，则niau欧姆接触层的厚度必须非常薄，这样在透光率和扩展电阻率二者之间则要给以适当的折衷，折衷设计的结果必定使其功率转换的提高受到了限制。　

http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258474.html2011/12/19 10:55:33

1mm2，p型欧姆接触为正方形，n欧姆接触以梳状插入其中，这样可缩短电流扩展距离，把扩展电阻降至最小；第四步，将金属化凸点的algainn芯片倒装焊接在具有防静电保护二极管（es

http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258628.html2011/12/19 11:09:50

1mm2，p型欧姆接触为正方形，n欧姆接触以梳状插入其中，这样可缩短电流扩展距离，把扩展电阻降至最小；第四步，将金属化凸点的algainn芯片倒装焊接在具有防静电保护二极管（es

http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261445.html2012/1/8 21:33:10

于5-10 nm，但是要使光吸收最小，则niau欧姆接触层的厚度必须非常薄，这样在透光率和扩展电阻率二者之间则要给以适当的折衷，折衷设计的结果必定使其功率转换的提高受到了限制。　

http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261588.html2012/1/8 21:54:41

1mm2，p型欧姆接触为正方形，n欧姆接触以梳状插入其中，这样可缩短电流扩展距离，把扩展电阻降至最小；第四步，将金属化凸点的algainn芯片倒装焊接在具有防静电保护二极管（es

http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262616.html2012/1/29 0:33:42

于5-10 nm，但是要使光吸收最小，则niau欧姆接触层的厚度必须非常薄，这样在透光率和扩展电阻率二者之间则要给以适当的折衷，折衷设计的结果必定使其功率转换的提高受到了限制。　

http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262764.html2012/1/29 0:43:37

于5-10 nm，但是要使光吸收最小，则niau欧姆接触层的厚度必须非常薄，这样在透光率和扩展电阻率二者之间则要给以适当的折衷，折衷设计的结果必定使其功率转换的提高受到了限制。　

http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268364.html2012/3/15 21:57:37

于5-10 nm，但是要使光吸收最小，则niau欧姆接触层的厚度必须非常薄，这样在透光率和扩展电阻率二者之间则要给以适当的折衷，折衷设计的结果必定使其功率转换的提高受到了限制。　

http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271148.html2012/4/10 20:57:39

1mm2，p型欧姆接触为正方形，n欧姆接触以梳状插入其中，这样可缩短电流扩展距离，把扩展电阻降至最小；第四步，将金属化凸点的algainn芯片倒装焊接在具有防静电保护二极管（es

http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271718.html2012/4/10 23:24:08

于5-10 nm，但是要使光吸收最小，则niau欧姆接触层的厚度必须非常薄，这样在透光率和扩展电阻率二者之间则要给以适当的折衷，折衷设计的结果必定使其功率转换的提高受到了限制。　

http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279482.html2012/6/20 23:06:16