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界的热交换。常用的散热基板材料包括硅、金属(如铝，铜)、陶瓷(如al2o3，aln，sic)和复合材料等。如nichia公司的第三代led采用cuw做衬底，将1mm芯片倒装在cuw衬
http://blog.alighting.cn/Autumn/archive/2010/11/18/115035.html2010/11/18 16:56:00
求，蓝光led芯片中的倒装芯片、高压芯片、硅基芯片等都是未来的主要发展趋势。这些芯片的使用皆能提高led灯具的性能。其中，硅基led芯片由于可以在6寸或者8寸的硅衬底上进行外延生长，可
http://blog.alighting.cn/zszmzk/archive/2013/5/4/316490.html2013/5/4 10:16:59
点新产品计划项目、国家级火炬计划项目、国家重点技改项目，并顺利通过验收，在芯片倒装、柔性线路板覆晶焊接、大功率led散热、白光led点粉工艺等一批led产品封装过程中的关键技术、工艺取
http://blog.alighting.cn/169559/archive/2013/12/13/346128.html2013/12/13 14:21:14
、国家重点技改项目，并顺利通过验收，在芯片倒装、柔性线路板覆晶焊接、大功率led散热、白光led点粉工艺等一批led产品封装过程中的关键技术、工艺取得突破，极大地提升了光莆乃至福建地
http://blog.alighting.cn/sdj/archive/2013/12/13/346131.html2013/12/13 14:35:16
管大多数还仅存于试验阶段或理论验证阶段，但都为最终的产业化奠定了坚实的基础。文章着重介绍目前提高led外量子效率的主要途径，如倒装焊（ｆｌｉｐ ｃｈｉｐ）、光子晶
http://blog.alighting.cn/1133/archive/2007/11/26/8028.html2007/11/26 19:28:00
ａ甚至１ａ级，这就需要改进封装结构，采用全新的ｌｅｄ封装设计理念和低热阻封装结构及技术、改善热特性。例如，采用大面积芯片倒装结构，选用导热性能好的银胶，增大金属支架的表面积，焊料凸
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120544.html2010/12/13 23:03:00
率型led的驱动电流可以达到70ma、100ma甚至1a级，需要改进封装结构，全新的led封装设计理念和低热阻封装结构及技术，改善热特性。例如，采用大面积芯片倒装结构，选用导热性
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133827.html2011/2/19 23:18:00
m波长的led器件,制作纹理结构后,发光效率可达30lm/w,其值已接近透明衬底器件的水准。 四、倒装芯片技术 通过mocvd 技术在兰宝石衬底上生长gan基led结构层,由p/
http://blog.alighting.cn/beebee/archive/2011/3/17/143431.html2011/3/17 21:54:00
构，采用全新的led封装设计理念和低热阻封装结构及技术、改善热特性。例如，采用大面积芯片倒装结构，选用导热性能好的银胶，增大金属支架的表面积，焊料凸点的硅载体直接装在热沉上等方法。此
http://blog.alighting.cn/szwdkgroup/archive/2011/4/12/165017.html2011/4/12 10:07:00
m，而照明用led的尺寸一般都要在1.0mmx1.0mm以上。led裸片成型的工作台式结构、倒金字塔结构和倒装芯片设计能够改善其发光效率，从而发出更多的光。led封装设计方面的革
http://blog.alighting.cn/biqeeen/archive/2011/4/14/165435.html2011/4/14 22:01:00
