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讨论了采用mocvd在al2 o3衬底上生长gan过程中的极性问题。在氮化衬底上生长低温缓冲层前沉积一al层来改变外延层的极性 ,并用ciciss来测量这一极性 ,最后给出了一
https://www.alighting.cn/resource/20111008/127042.htm2011/10/8 11:28:23
采用化学方法腐蚀部分c面蓝宝石衬底,在腐蚀区域形成一定的图案,利用lp-mocvd在经过表面处理的蓝宝石衬底上外延生长gan薄膜.利用gan薄膜光学透射谱,结合椭偏测量得到的折射
https://www.alighting.cn/resource/20110722/127402.htm2011/7/22 14:38:53
外延生长的基本原理是，在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有红宝石和sic两种)上，气态物质in,ga,al,p有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生长技
https://www.alighting.cn/resource/20051208/128900.htm2005/12/8 0:00:00
近期led照明的产业新闻似乎逃不过如下五个话题：行业洗牌、蓝宝石衬底、mocvd、价格战以及中功率。这牌何时洗的完?蓝宝石衬底升温至何处?mocvd国产化突围之路走到哪里?价格
https://www.alighting.cn/news/20131025/n677357714.htm2013/10/25 9:13:18
2010年led背光tv市场迅速增长，mocvd机台增加众多，市场上led用蓝宝石衬底处于供不应求的状态。而蓝宝石晶体生长炉的数量与品质决定了蓝宝石衬底的数量与品质。为
https://www.alighting.cn/news/20100830/86222.htm2010/8/30 0:00:00
translucent称其vgan产线是世界上第一条可盈利的可扩展reo基gan衬底“iii-n半导体”的生产源。透明reo层的应用使得其产品在应力消除、晶体生长面平整度方面表
https://www.alighting.cn/news/20110811/115128.htm2011/8/11 10:01:28
bridgelux新近募集6000万美元，声明将攻关关键核心技术，如si衬底上gan外延技术和面板上芯片的空间设计等新封装技术，以继续拓展其在固态照明市场中的地位。
https://www.alighting.cn/news/20110808/115930.htm2011/8/8 10:40:54
一、mb芯片定义与特点定义﹕mb 芯片﹕metal bonding (金属粘着）芯片﹔该芯片属于uec 的专利产品。特点﹕1: 采用高散热系数的材料---si 作为衬底、散热容
http://blog.alighting.cn/Antonia/archive/2010/11/18/115018.html2010/11/18 16:06:00
利用电子束蒸发技术在p型硅衬底上沉积了200 nm厚的ceo2薄膜样品,将样品置于弱还原气氛中高温退火后,观察到薄膜在385,418 nm以及445 nm左右出现三个明显的发光
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126965.htm2011/10/25 14:41:00
i d59,3d显示术语 semi pv4,用于薄膜光伏的第五代衬底尺寸范围的规
http://blog.alighting.cn/fsafasdfa/archive/2011/4/18/166032.html2011/4/18 22:46:00
