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正申请iso14001安全与环境协议认证，将针对高亮度led（hbled）的需求上升，大幅增加其制程所使用的三甲基镓（tmg）、三乙基镓（teg）和叁甲基铟（tmi）的产
https://www.alighting.cn/news/20120316/113753.htm2012/3/16 14:41:15
器接地连接。ｐｅ线接地应从近箱变第一基照明灯柱起做起； 同杆架设的高压线路与路灯低压线路应保证适当间距，防止雷电压等高电压侵入低压线路。开关箱加装ｓｐｄ电涌保护器，并作好接地。
http://blog.alighting.cn/117400/archive/2012/3/16/268508.html2012/3/16 14:25:14
恒流。硬件电路如图2所示。r1是电流检测电阻，用来设定led负载电流，r2用来设定开关管的工作频率，本系统采用350ma电流、1mhz开关频率。d1采用快恢复肖特基二极管。dim引
http://blog.alighting.cn/117400/archive/2012/3/16/268472.html2012/3/16 13:39:07
明电器协会理事长陈燕生；上海照明电器行业协会会长陆泽明；上海市经济和信息化委员会综合规划处处长史文军；上海市科委高新技术产业化处处长郭延生；中国照明学会秘书长徐淮及协办单位代表欧司
http://blog.alighting.cn/117400/archive/2012/3/16/268459.html2012/3/16 13:26:29
压降的肖特基二极管，即能防止夜间蓄电池对太阳电池的反向充电，又提高了太阳电池的充电效率。 （２）光开关控制电路 图３为光开关控制电路，ｌｓ为光检测输入端，外接一个光敏电阻和一
http://blog.alighting.cn/117400/archive/2012/3/16/268451.html2012/3/16 13:12:05
构从事氮化镓基蓝绿led的材料生长、器件工艺和相关设备制造的研究和开发工作。其中处于世界领先水平的主要有：日本的nichia；美国的lumileds、gree；德国的osram等。这
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268378.html2012/3/15 21:58:25
如波长625 nm algainp基超高亮度发光二极管的内量子效率可达到100%，已接近极限。 lgainn基材料内存在的晶格和热失配所致的缺陷、应力和电场等使得algainn
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268364.html2012/3/15 21:57:37
底上的垂直结构gap基led芯片有两种结构：不剥离导电砷化鎵生长衬底：在导电砷化鎵生长衬底上层叠导电dbr反射层，生长 gap 基led外延层在导电dbr反射层上。剥离砷化鎵生长衬
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268356.html2012/3/15 21:57:13
现，其中聚焦的主轴之一就是led照明。李明儒表示， 该公司已为磊晶合作伙伴开发出符合其规格所需的led驱动ic产品，不论在散热与输出功率上均有竞争利基，目前也已少量供货，预期可望成
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268334.html2012/3/15 21:56:10
要蚀刻或移除所有有机物质或其他环氧基物质（如su-8光刻胶），我推荐一个设备，名字叫“r3t高速等离子蚀刻机”，型号stp 2020，stp1010。这是德国r3t的产品，熟悉蚀
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268321.html2012/3/15 21:55:29
