站内搜索
1,cree 著名led芯片制造商，美国cree公司，产品以碳化硅(sic)，氮化镓(GaN),硅(si)及相关的化合物为基础,包括蓝,绿,紫外发光二极管(led),近紫外激
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261443.html2012/1/8 21:33:08
路。潜在性失 效则可使 led 的性能参数劣化，例如漏电流加大，一般 GaN 基 led 受到静电损伤后所形成的隐患并无任何方法可 治愈。 3 、复杂性 : 在静电放电的情况下，起放
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261432.html2012/1/8 21:28:50
、大屏幕显示器、信号灯和液晶屏幕背光源等领域。近些年来，随着gap、GaN系ⅲ-v族化合物半导体的结晶成长工艺技术及纳米技术的进步，led的光效和大功率集成技术都有了很大的提高，le
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261393.html2012/1/8 20:27:34
是开发蓝光led时，碳化矽(sic)与氮化镓(GaN)两大门派之争。这也是许多研发团队辛勤投入开发蓝光led元件时，必须痛苦抉择的两条截然不同的道路。 之前，全球许多大公司皆投
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261392.html2012/1/8 20:27:31
定的产品技术上创意才是有效的。与开关恒流方式比较六、led组合化封装是未来发展趋势模组的组合设计能有效的降低一次性封装成本；分散的封装形式有利于减低散热设计成本；选择国产的铝基pc
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261355.html2012/1/8 20:20:43
装成本；分散的封装形式有利于减低散热设计成本；选择国产的铝基pcb板材；便于光学设计；电源设计简化；封装形式多样；有利增强国产led竞争力。 这是cree、nichia
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261353.html2012/1/8 20:20:40
例如-coor基團，能產生紫外-可見吸收的官能團，如一個或幾個不飽和基團，或不飽和雜原子基團，c=c, c=o, n=n, n=o等稱為生色團（chromophore）; 助色
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261344.html2012/1/8 20:19:53
m波长的led器件,制作纹理结构后,发光效率可达30lm/w,其值已接近透明衬底器件的水准。 四、倒装芯片技术 通过mocvd 技术在兰宝石衬底上生长GaN基led结构层,由p/
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261338.html2012/1/8 20:19:40
d基础材料的蓝宝石领域可谓一路高歌猛进。 目前，欧洲、美洲、日本、韩国，乃至国内不少厂家，已纷纷要求订购“四联造”蓝宝石基片。预计到2015年，重庆将建成亚洲最大的蓝宝石基地，形
http://blog.alighting.cn/116344/archive/2011/12/29/260511.html2011/12/29 10:27:20
是我们设计时必然首先考虑的，目前我们大多数会选择散热片散热方式，每瓦约30平方厘米的散热面积（铝作为散热基），是一个理论上的参考数据，我们玩玩不能照搬照抄这个值，这个值有一定的环
http://blog.alighting.cn/mqycc21/archive/2011/12/26/260232.html2011/12/26 1:09:04
