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值正好等于容性元件的容抗值则可以完全补偿，功率因数补偿的办法就源于此。 交流电通过阻抗负载时，产生的总功率s称“视在功率”，视在功率s包括有功功率P和无功功率q两个分量。其中有
http://blog.alighting.cn/biqeeen/archive/2011/4/14/165421.html2011/4/14 21:38:00
度则有l＝te/π(1-7)以上式中l——表面亮度，cd／m2；P——表面反射比；t——表面透射比；e——表面的照度，lx；兀——常数，3.1416。流明lumen光通量的si单
http://blog.alighting.cn/1327/archive/2011/5/5/174235.html2011/5/5 11:46:00
5% 可代替传统插件瓷片和钽电以及铝电解缩小体积更多规格欢迎查询和索样 开关电源 常用高压贴片电容和大容量贴片电容 1kv 100P 1206封装 1kv 221 1206封装
http://blog.alighting.cn/s415998493/archive/2011/6/27/227837.html2011/6/27 10:36:00
用高压贴片电容和大容量贴片电容 1kv 100P 1206封装 1kv 221 1206封装 1kv 102 1206封装 1kv 222 1206封装 1kv 472 1206封
http://blog.alighting.cn/s415998493/archive/2011/6/27/227838.html2011/6/27 10:37:00
m采用误差放大器反馈输出的方式调节脉宽。在有一定负载情况下,开关频率取决于n管开启时间tn和P管开启时间tP。 其中tPㄒkP/(vout-vin);tnㄑkn/vin 在轻负载
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229870.html2011/7/17 22:49:00
样的方法在蓝光gan-led上迭放一层alingaP半 导体复合物,也生成了白光。led晶圆制程衬底结构设计缓冲层生长n型gan层生长多量子阱发光层生长P型gan层生长退火检测(光荧
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229928.html2011/7/17 23:20:00
至适当温度的gaas衬底基片上,气态物质in,ga,al,P有控制的输送到gaas衬底表面,生长出具有特定组分,特定厚度,特定电学和光学参数的半导体薄膜外延材料。iii族与v族的源物
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229933.html2011/7/17 23:23:00
→窗口图形光刻→sio2腐蚀→去胶→n极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。其实外延片的生产制作过程是非常复杂的,在展完外延片
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229935.html2011/7/17 23:24:00
底杂质浓度。若生长温度降低,则外延层的载流子浓度也随之下降；提高as/ga比,则有可能引起材料的导电类型从P型转向n型。(3)、金属有机物和ash3的纯度反应物质的纯度将严重地限制
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229936.html2011/7/17 23:24:00
加正向工作电压vd时,驱使价带中的空穴穿过Pn结进入n型区、同时驱动导带中的电子越过Pn结进入P型区,在结的附近多余的载流子会发生复合,在复合过程中发光、从而把电能转换为光能。
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230108.html2011/7/18 23:49:00
