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、led电学特性1.1i-v特性表征led芯片pn结制备性能主要参数。led的i-v特性具有非线性、整流性质：单向导电性，即外加正偏压表现低接触电阻，反之为高接触电阻。如左图：(
http://blog.alighting.cn/sg-lsb/archive/2008/10/31/9242.html2008/10/31 17:45:00
据悉，聚积科技正式推出具有可程控之电流增益功能以及讯息中错误侦测功能(in-message error detection)的新一代恒流led驱动芯片-mbi5036，让led
https://www.alighting.cn/news/20081031/106376.htm2008/10/31 0:00:00
世纪晶源董事长高敬德日前在中国深圳宣布，世纪晶源科技有限公司暨深圳化合物半导体产业基地，其号称全球最大的单体无尘室超净厂房二号晶片厂成功投产。
https://www.alighting.cn/news/20081031/107978.htm2008/10/31 0:00:00
明委员会色度图 led光源几乎完全涵盖了位于cie色度曲线内部的飽和颜色，led与荧光组合可以产生各种需要的颜色。大功率照明用led 大功率照明用led其封装从成品来看是单颗芯
http://blog.alighting.cn/sg-lsb/archive/2008/10/30/9238.html2008/10/30 20:36:00
于led在工作过程中会放出大量的热量,使管芯结温迅速上升,led功率越高,发热效应越大.led芯片温度的升高将导致发光器件性能的变化与电光转换效率衰减,严重时甚至失效，根据实验测试表
http://blog.alighting.cn/sg-lsb/archive/2008/10/30/9237.html2008/10/30 20:34:00
p;quot;"59?,?0?,?http:59?,?false?,?http:59?,null)?电源管理/nobr芯片厂商如lineartechnology
http://blog.alighting.cn/sg-lsb/archive/2008/10/30/9236.html2008/10/30 20:33:00
在更高的环境温度下也能够工作。而在选择led驱动电路时，则必须考虑器件的散热。 确保led芯片不致过热的一个重要指标就是正向电流。在实际使用中，经常将工作电流设置在一个很低的水
http://blog.alighting.cn/sg-lsb/archive/2008/10/30/9235.html2008/10/30 20:24:00
led产品的光衰就是光在传输中的讯号减弱，而现阶段全球led大厂们做出的led产品光衰程度都不同，大功率led同样存在光衰，这和温度有直接的关係，主要是由芯片、萤光粉和封装技术决
http://blog.alighting.cn/sg-lsb/archive/2008/10/30/9233.html2008/10/30 20:20:00
、技术集成度高的尖端光电子专用设备，主要用于gan（氮化镓）系半导体材料的外延生长和蓝色、绿色或紫外发光二极管芯片的制造，也是光电子行业最有发展前途的专用设备之一。 led芯片的制
http://blog.alighting.cn/sg-lsb/archive/2008/10/30/9232.html2008/10/30 20:16:00
素 区分led质量高低的因素是哪些？如何说出两种led的差别？实际上，选择高质量的led可以从芯片开始，直到组装完成，这期间有许多因素需要考虑。tier-oneled制造公司能够生
http://blog.alighting.cn/sg-lsb/archive/2008/10/30/9231.html2008/10/30 20:15:00
