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[原创]t8 12w led日灯管

v 色温:2800k-8000k 效:95lm/w 功率因素:0.95 电源效率:0.92 接口规格: t8/1200 mm 通量:>1100lm (乳白p

  http://blog.alighting.cn/woomiled/archive/2011/5/12/178276.html2011/5/12 14:50:00

t8 16w led日灯管

v 色温:2800k-8000k 效:95lm/w 功率因素:0.95 电源效率:0.92 接口规格: t8/1200 mm 通量:>1400lm (乳白p

  http://blog.alighting.cn/woomiled/archive/2011/5/12/178277.html2011/5/12 14:52:00

led灯与无极灯应用综合评述

率耦合器,由功率耦合器在玻璃壳内的放电空间内建立静电强磁场,对放电空间内的大气进行电离,并生产强紫外,玻璃泡壳内壁的三基色荧粉受强紫外激励发。  led即半导体发二极

  http://blog.alighting.cn/121954/archive/2012/3/6/267177.html2012/3/6 14:32:39

人类在照明领域的进步

们说三种色彩配在一起不就是白吗,刚开端咱们在实验用它配出的白来用做照明,这种主意很不实际,三种色彩配起来也不是简略的作业,咱们在想白led的可能性,偶然在一些技能杂志上看到有

  http://blog.alighting.cn/szlisten/archive/2013/4/6/313546.html2013/4/6 15:20:13

led面板灯信息之种类介绍

息,由于还是忽视的led的热量,很多中功率贴片led面板灯,没有散热器,依旧使用塑料外壳,衰依然严重。采用阻容降压低端电源,因电网电压不稳,电流有波动,亮度也有波动,价格适中,质

  http://blog.alighting.cn/3/archive/2014/8/27/357082.html2014/8/27 13:50:18

led芯片的技术发展状况

0 nm的输出功率分别为250 mw和150 mw。3)倒装芯片技术  algainn基二极管外延片一般是生长在绝缘的蓝宝石衬底上,欧姆接触的p电极和n电极只能制备在外延表面的同一

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233173.html2011/8/20 0:23:00

led芯片的技术发展状况

0 nm的输出功率分别为250 mw和150 mw。3)倒装芯片技术  algainn基二极管外延片一般是生长在绝缘的蓝宝石衬底上,欧姆接触的p电极和n电极只能制备在外延表面的同一

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258474.html2011/12/19 10:55:33

led芯片的技术发展状况

0 nm的输出功率分别为250 mw和150 mw。3)倒装芯片技术  algainn基二极管外延片一般是生长在绝缘的蓝宝石衬底上,欧姆接触的p电极和n电极只能制备在外延表面的同一

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261588.html2012/1/8 21:54:41

led芯片的技术发展状况

0 nm的输出功率分别为250 mw和150 mw。3)倒装芯片技术  algainn基二极管外延片一般是生长在绝缘的蓝宝石衬底上,欧姆接触的p电极和n电极只能制备在外延表面的同一

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262764.html2012/1/29 0:43:37

led芯片的技术发展状况

0 nm的输出功率分别为250 mw和150 mw。3)倒装芯片技术  algainn基二极管外延片一般是生长在绝缘的蓝宝石衬底上,欧姆接触的p电极和n电极只能制备在外延表面的同一

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