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si衬底gan蓝光led老化性能

报道了芯片尺寸为500μm×500μm硅衬底gan蓝光led在常温下经1000h加速老化后的电学和发光性能,其光功率随老化时间的变化分先升后降两个阶段;老化后的反向漏电流和正向

  https://www.alighting.cn/resource/20111025/126967.htm2011/10/25 14:13:25

ganled电流扩展对其器件特性的影响

ganled的表面电流扩展对于器件的特性起着很重要的作用。制作环状n电极的器件在正向电压、总辐射功率、器件老化等特性方面较普通的电极都有很大的提高。通过一系列的实验对环状n电

  https://www.alighting.cn/2011/9/19 9:18:40

明氏塑胶 压克力多色和pc多色——2021神灯奖申报技术

明氏塑胶 压克力多色和pc多色,为广东明氏塑胶科技有限公司2021神灯奖申报技术。

  https://www.alighting.cn/pingce/20210111/170384.htm2021/1/11 10:18:37

ilumisys为escanaba办公大楼提供led照明灯

ilumisys公司将与美国密歇根州合作,为密歇根州的escanaba办公大楼提供led照明灯,以取代的萤光,届时还将收集研究资料。

  https://www.alighting.cn/news/20080417/94341.htm2008/4/17 0:00:00

关于江西鸿利南昌【发光二极馆】展品征集的通知

为更直观的体现led产业的蓬勃生机及教育宣传绿色节能的产业政策,公司通过集思广益,建设鸿利南昌led博物馆(命名发光二极馆),代表led行业,以实物、图片、影像等形态的方式来展

  https://www.alighting.cn/news/20160311/137857.htm2016/3/11 9:50:46

线性三极lc1920

压误差放大器,驱动功率晶体等模块。192076b9h的is反馈电压是0.6v,驱动led的电流可通过外部电阻调节,最高可达40ma,耐压最大90v。由于较高的耐压,在多灯串联的应用

  http://blog.alighting.cn/dgrd2008/archive/2010/9/29/100480.html2010/9/29 20:44:00

gan高压交流110v-led芯片——2019神灯奖申报技术

gan高压交流110v-led芯片,为湘能华磊光电股份有限公司2019神灯奖申报技术。

  https://www.alighting.cn/pingce/20190129/160228.htm2019/1/29 13:37:37

芬兰赫尔辛市镜实验室的内部空间光影照明

vav architects 设计,位于芬兰赫尔辛市。设计师巧妙的将光线投影到内部空间,扑捉到每一个变化。

  https://www.alighting.cn/case/2014/10/20/183554_79.htm2014/10/20 18:35:54

转移板材质对si衬底ganled芯片性能的影响

在si衬底上生长了ganled外延材料,分别转移到新的硅板和铜板上,制备了垂直结构蓝光led芯片。

  https://www.alighting.cn/2015/3/3 10:32:36

全球首个硅氮化镓单片集成fhd micro led显示器问世

5月14日,plessey宣布与硅背板合作伙伴jasper display corp(jdc)在研发单片集成micro led显示器过程中迈出了重要一步。

  https://www.alighting.cn/news/20190517/161929.htm2019/5/17 10:38:50

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