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石,缓冲层为aln,n型层采用厚度为0.8μm的si掺杂al0.3ga0.7n形成窗口层,i型层为0.18μm的非故意掺杂的GaN,p型层为0.15μm的mg掺杂GaN。采用cl2、a
https://www.alighting.cn/resource/20130522/125583.htm2013/5/22 10:23:13
主要是以氧化镓为原料,通过气相沉积法,制备出GaN纳米线和纳米带.通过x-射线衍射(xrd),扫面电镜(sem)和高分辨透射电镜(hrtem)等测试手段对其形貌进行了表征和分析
https://www.alighting.cn/resource/20130521/125588.htm2013/5/21 10:42:04
2013年5月20日，led 照明领域的市场领先者科锐公司宣布，2013科锐led创新技术交流会在北京、上海、深圳、广州成功举办。科锐通过此次一系列的技术交流会，与来自国内近700
https://www.alighting.cn/news/20130521/112391.htm2013/5/21 9:36:09
发、生产、出口基地，建设中国国际led展示中心，带动led芯片、五金、注塑、模具、电子、光学器件、景观工程、装饰装修等相关联的上下游产业的发展，打造国际知名半导体照明企业。 国
http://blog.alighting.cn/178081/archive/2013/5/20/317603.html2013/5/20 20:36:50
zno作为一种宽带隙半导体材料,室温下的禁带宽度为3.37ev,具有优良的光学和电学性质,广泛应用于紫外探测、短波长激光器、透明导电薄膜等领域。为了提高zno半导体器件的性能,必
https://www.alighting.cn/2013/5/20 10:05:56
研究了led的高速调制特性,提出了电流限制层结构,在led器件的驱动电路上增加一对并联的rc元件的新的设计思想,该技术在工艺上很容易实现且在改善高速led性能方面有实际应用价值。
https://www.alighting.cn/2013/5/16 11:50:13
光效的白炽灯减少 80% 3. 适用性：很小，每个单元 led 小片是 3-5mm 的正方形，所以可以制备成各种形 状的器件，并且适合于易变的环境 4. 稳定性： 10 万小时，光
http://blog.alighting.cn/175310/archive/2013/5/15/317211.html2013/5/15 10:53:53
响。2012年12月，“硅衬底氮化镓基led材料及大功率器件”荣获2012年国家工信部信息产业重大技术发明，这是国家对硅衬底led技术的高度肯定与支持。同时，晶能光电实现硅衬底大功率le
http://blog.alighting.cn/wangmin/archive/2013/5/15/317208.html2013/5/15 10:08:53
异,掺入的稀土元素铒呈三价,电致发光谱为er3+的发光谱线,硅衬底硫化锌发光薄膜器件可与硅器件工艺兼
https://www.alighting.cn/resource/20130514/125608.htm2013/5/14 11:12:06
管。1993年，在日本日亚化工（nichia）工作的中村修二成功把氮渗入，造出了基于宽禁带半导体材料氮化镓（GaN）和铟氮化镓（inGaN）、具有商业应用价值的蓝光led。有了蓝
http://blog.alighting.cn/175310/archive/2013/5/14/317133.html2013/5/14 10:41:23
