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led芯片的技术发展状况

对于标准管芯(200-350μm2),日本日亚公司报道的最高研究水平,紫光(400 nm)22 mw,其外量子效率为35.5%,蓝光(460 nm) 18.8 mw,其外量子效率

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233173.html2011/8/20 0:23:00

led芯片的技术发展状况

对于标准管芯(200-350μm2),日本日亚公司报道的最高研究水平,紫光(400 nm)22 mw,其外量子效率为35.5%,蓝光(460 nm) 18.8 mw,其外量子效率

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258474.html2011/12/19 10:55:33

led芯片寿命试验

件的特点,经过对比试验和统计分析,最终规定了0.3×~0.3mm2以下芯片的寿命试验条件:● 样品随机抽取,数量为8~10粒芯片,制成ф5单灯;● 工作电流为30ma;● 环境条件

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258569.html2011/12/19 11:00:50

led芯片寿命试验

件的特点,经过对比试验和统计分析,最终规定了0.3×~0.3mm2以下芯片的寿命试验条件:● 样品随机抽取,数量为8~10粒芯片,制成ф5单灯;● 工作电流为30ma;● 环境条件

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261498.html2012/1/8 21:46:08

led芯片的技术发展状况

对于标准管芯(200-350μm2),日本日亚公司报道的最高研究水平,紫光(400 nm)22 mw,其外量子效率为35.5%,蓝光(460 nm) 18.8 mw,其外量子效率

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261588.html2012/1/8 21:54:41

led芯片寿命试验

件的特点,经过对比试验和统计分析,最终规定了0.3×~0.3mm2以下芯片的寿命试验条件:● 样品随机抽取,数量为8~10粒芯片,制成ф5单灯;● 工作电流为30ma;● 环境条件

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262671.html2012/1/29 0:37:03

led芯片的技术发展状况

对于标准管芯(200-350μm2),日本日亚公司报道的最高研究水平,紫光(400 nm)22 mw,其外量子效率为35.5%,蓝光(460 nm) 18.8 mw,其外量子效率

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262764.html2012/1/29 0:43:37

led芯片的技术发展状况

对于标准管芯(200-350μm2),日本日亚公司报道的最高研究水平,紫光(400 nm)22 mw,其外量子效率为35.5%,蓝光(460 nm) 18.8 mw,其外量子效率

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268364.html2012/3/15 21:57:37

led芯片的技术发展状况

对于标准管芯(200-350μm2),日本日亚公司报道的最高研究水平,紫光(400 nm)22 mw,其外量子效率为35.5%,蓝光(460 nm) 18.8 mw,其外量子效率

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271148.html2012/4/10 20:57:39

led芯片寿命试验

件的特点,经过对比试验和统计分析,最终规定了0.3×~0.3mm2以下芯片的寿命试验条件:● 样品随机抽取,数量为8~10粒芯片,制成ф5单灯;● 工作电流为30ma;● 环境条件

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271773.html2012/4/10 23:32:48

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