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奇晶光电oled面板亮相fpdi

在今年举办的fpd international 2008展会上,各彩电企业展示的oled无疑成为了展会上的一大亮点。作为在技术上日趋成熟的oled,虽然在成本上非常高,但是其超薄的

  https://www.alighting.cn/news/20081104/106192.htm2008/11/4 0:00:00

蓝宝石表面处理对氮化镓光学性质的影响

采用化学方法腐蚀部分c面蓝宝石,在腐蚀区域形成一定的图案,利用lp-mocvd在经过表面处理的蓝宝石上外延生长gan薄膜.利用gan薄膜光学透射谱,结合椭偏测量得到的折射

  https://www.alighting.cn/resource/20110726/127394.htm2011/7/26 15:17:59

山东大学大直径sic单晶研究取得突破进展

近日,山东大学晶体材料国家重点实验室在大直径sic单晶研究方面取得突破性进展,成功生长出直径3英寸的sic单晶;2英寸半绝缘sic单晶达到“开盒即用(epi-ready)

  https://www.alighting.cn/resource/20070512/128495.htm2007/5/12 0:00:00

[原创]国内外led专利竞争情况

体照明领域的最早申请日差距最大的相差24年,最小也有5年,普遍在10年左右。上游产业中的传统技术手段如芯片电极、划片、封装材料、外延缓冲层、碳化的时间差距最大,一般在15年到2

  http://blog.alighting.cn/zhongguozhiguang/archive/2010/12/30/124591.html2010/12/30 12:57:00

国内外led专利竞争情况

体照明领域的最早申请日差距最大的相差24年,最小也有5年,普遍在10年左右。上游产业中的传统技术手段如芯片电极、划片、封装材料、外延缓冲层、碳化的时间差距最大,一般在15年到2

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126725.html2011/1/9 19:47:00

大功率led封装以及散热技术

上生长出pn结后将蓝宝石切除再连接上传统的四元材料,制造出上下电极结构的大尺寸蓝光led芯片。 2.5algainn/碳化(sic)背面出光法: 美国cre

  http://blog.alighting.cn/Haidee/archive/2010/11/20/115542.html2010/11/20 23:43:00

大功率led封装以及散热技术

上生长出pn结后将蓝宝石切除再连接上传统的四元材料,制造出上下电极结构的大尺寸蓝光led芯片。 2.5algainn/碳化(sic)背面出光法: 美国cre

  http://blog.alighting.cn/qq88655029/archive/2010/11/18/114843.html2010/11/18 0:13:00

大功率led封装以及散热技术

上生长出pn结后将蓝宝石切除再连接上传统的四元材料,制造出上下电极结构的大尺寸蓝光led芯片。 2.5algainn/碳化(sic)背面出光法: 美国cre

  http://blog.alighting.cn/Haidee/archive/2010/11/20/115541.html2010/11/20 23:42:00

大功率led封装以及散热技术

上生长出pn结后将蓝宝石切除再连接上传统的四元材料,制造出上下电极结构的大尺寸蓝光led芯片。 2.5algainn/碳化(sic)背面出光法: 美国cre

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258628.html2011/12/19 11:09:50

大功率led封装以及散热技术

上生长出pn结后将蓝宝石切除再连接上传统的四元材料,制造出上下电极结构的大尺寸蓝光led芯片。 2.5algainn/碳化(sic)背面出光法: 美国cre

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261445.html2012/1/8 21:33:10

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