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http://blog.alighting.cn/gzmilliontech/archive/2010/10/29/110591.html2010/10/29 14:37:00
r，设灯具上施加的电压为u，灯光的阻抗设为定值电阻r，那么它在原电压u0下消耗的功率为P0，适当降低电压至u1后，这时消耗的功率P1将随电压的平方关系下降。其有功节电率表示为：
http://blog.alighting.cn/bianpinqi/archive/2010/11/29/117356.html2010/11/29 15:18:00
构设计缓冲层生长n型gan层生长多量子阱发光层生长P型gan层生长退火检测（光萤光、x射线）外延片片外延片设计、加工掩模版光刻离子刻蚀n型电极（镀膜、退火、刻蚀）P型电极（镀膜、退
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120542.html2010/12/13 23:02:00
描器、smartscan aida s9060P条码扫描器（可读取Pdf417码）、smartscan aida s9061蓝牙无线条码扫描器、smartscan aida
http://blog.alighting.cn/gzmilliontech/archive/2010/12/14/120730.html2010/12/14 11:52:00
结不可能极端完美，元件的注人效率不会达到100%,也即是说，在led工作时除P区向n区注入电荷（空穴）外，n区也会向P区注人电荷（电子），一般情况下，后一类的电荷注人不会产生光电效
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120864.html2010/12/14 21:45:00
明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→sio2 沉积→窗口图形光刻→sio2 腐蚀→去胶→n极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127001.html2011/1/12 0:49:00
led是一种场致发光光源，其发光原理是在P-n结两端加上正向电压，则P区中空穴会流向n区。而n区中的电子会流向P区。随着少数载流子和多数载流子的复合放出能量，其中一部分能量转化为
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127040.html2011/1/12 16:43:00
关 除了负载和晶体管交换位置，这个电路与前面的完全相同。图2e中显示的开关就位于“高端”。我们还把fet从n通道变成P通道。n通道fet要求vgs5v以完全导通：在本拓扑中，n通
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134097.html2011/2/20 22:19:00
能。 mc9rs08ka2控制Pwm功率开关器件，对hbled电流进行调节。P沟道金属氧化物半导体管(Pmos)的开关是由mcu计时模组控制的，并且频率被设定为30kh
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134129.html2011/2/20 22:59:00
该电路的显示采用逐行扫描方式。工作时，由单片机从缓冲区取出第一行需要显示的20字节点阵数据，再由列点阵数据输入端P1．2口按位依次串行输入至列移位寄存器，其数据输入的顺序与显示内
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134176.html2011/2/20 23:21:00
