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图形化衬底led芯片的技术研究

本文的主要研究内容涉及图形化衬底对ganled发光二极管光电性能的影响。实验中制作了表面图形直径和周期不同的gan图形衬底。再利用mocvd材料生长设备侧向外延生长了gan

  https://www.alighting.cn/resource/20120314/126666.htm2012/3/14 14:36:30

蓝宝石衬底的图形化技术在ganled上的应用

针对于目前蓝光led所使用的蓝宝石衬底存在以下两个问题,蓝宝石和gan存在着17%的晶格不匹配,直接在蓝宝石衬底上生长出来的外延缺陷严重。出光效率低下,大部分光被限制在led芯片内

  https://www.alighting.cn/resource/20120314/126667.htm2012/3/14 13:45:14

led照明灯具在光效方面实现突破方案

led芯片技术发展的关键在于底材料和外延生长技术。底材料由传统的蓝宝石材料、硅和碳化硅,发展到氧化锌、氮化等新材料。在短短数年内,借助于包括芯片结构、表面粗化处理和多量子

  https://www.alighting.cn/resource/2012/3/13/15102_42.htm2012/3/13 15:10:02

[原创]led散热(二)

板。这种陶瓷板是由氧化铝和氮化铝构成。各种材料的导热系数如下表所示。   不论氮化铝还是氧化铝,它们都是一种绝缘的陶瓷材料,所以可以把印制电路做在上面。但是氮化铝具

  http://blog.alighting.cn/cwlvxue2008/archive/2012/3/12/267556.html2012/3/12 19:16:29

[原创]led的散热(一)

底。因为硅材料的底不受专利的限制。而且性能还优于蓝宝石。唯一的问题是gan的膨胀系数和硅相差太大而容易发生龟裂,解决的方法是在中间加一层氮化铝(aln)作缓

  http://blog.alighting.cn/cwlvxue2008/archive/2012/3/12/267555.html2012/3/12 19:16:18

晶科电子携最新无金线陶瓷光源产品亮相上海

光源产

  https://www.alighting.cn/news/20120312/114279.htm2012/3/12 13:19:25

晶科电子将携最新无金线陶瓷光源产品亮相上海

晶科电子“e系列”产品是于apt专利技术—倒装焊接技术,实现了单芯片及多芯片模组的无金线、无固晶胶封装,具有高亮度、高光效、高可靠性、低热阻、颜色一致性好等特点。

  https://www.alighting.cn/news/2012312/n920438104.htm2012/3/12 11:51:07

[原创]led散热(二)

板。这种陶瓷板是由氧化铝和氮化铝构成。各种材料的导热系数如下表所示。   不论氮化铝还是氧化铝,它们都是一种绝缘的陶瓷材料,所以可以把印制电路做在上面。但是氮化铝具

  http://blog.alighting.cn/25852/archive/2012/3/10/267445.html2012/3/10 10:15:09

[原创]led的散热(一)

底。因为硅材料的底不受专利的限制。而且性能还优于蓝宝石。唯一的问题是gan的膨胀系数和硅相差太大而容易发生龟裂,解决的方法是在中间加一层氮化铝(aln)作缓

  http://blog.alighting.cn/25852/archive/2012/3/10/267444.html2012/3/10 10:14:59

透视国内led企业专利之殇

“从目前世界范围内ganled产业发展来看,前5大公司——美国科瑞、德国欧司朗、荷兰飞利浦、日本日亚以及丰田合成拥有80%~90%的原创性发明专利。”耿博介绍说。  据阮军介

  http://blog.alighting.cn/228/archive/2012/3/6/267205.html2012/3/6 16:46:04

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