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al-n共掺杂zno电子结构和光学性质

基于密度泛函理论的第一性原理,分析了al-n共掺杂zno的电子结构和光学性质。计算了al-n复合体共掺zno的结合能,发现al-n复合体可以在zno中稳定存在,因此al-n共掺可

  https://www.alighting.cn/2011/9/15 10:02:55

大功率led封装用散热铝基板的制备与性能研究

通过正交试验分析了阳极氧化法制备led封装用铝基板过程中电流密度、硫酸质量浓度、温度和时间等因素对其热阻、厚度、绝缘电阻率的影响,得到了制备低热阻铝基板的最佳工艺参数。根据优化参

  https://www.alighting.cn/resource/20110914/127154.htm2011/9/14 9:03:57

关于开启设计的思路

力126、把它封印起来127、使用视觉效果128、把它移转过来129、使用另外的物料130、把它捆包起来131、增加人的趣味132、把它集中起来133、变更密度134、把它推开135

  http://blog.alighting.cn/chseven/archive/2011/9/10/236176.html2011/9/10 12:05:46

蓝紫光ingan多量子阱激光器

n的自然解理面.室温,电脉冲注入,激光器可实现激射.阈值电流密度为3.3ka/cm2,特征温度为145k

  https://www.alighting.cn/resource/20110909/127172.htm2011/9/9 8:46:06

首尔半导体首次在韩国量产汽车前灯的led光源

首尔半导体从去年就开始就为欧洲的制造商生产了一款适用于drl汽车前灯的led光源。与当下的hid灯相比,使用了全新led光源的汽车前灯拥有高效能、高发光强度以及超高的可靠性。

  https://www.alighting.cn/news/20110907/114674.htm2011/9/7 9:24:03

led开关电源设计参数分析

源效率要更高,性能更好,可靠性更高等.这一切高新要求便促进了led开关电源的不断发展和进步. 本文介绍在设计led开关电源时应该注意参数: 1:led开关电源功率密度 提高开关电

  http://blog.alighting.cn/leddlm/archive/2011/9/5/235078.html2011/9/5 22:45:54

蓝宝石基底上高密度定向单壁碳纳米管阵列的控制生长

中碳纳米管的结构完美、定向度高,密度在20根/μm左右.在生长过程中,保持基底表面干净是合成高密度定向阵列的关键,水在其中起到了关键的作用,同时,在基底表面被覆盖的区域,碳纳米管不

  https://www.alighting.cn/resource/20110905/127195.htm2011/9/5 14:58:35

蓝宝石衬底上gan/al_xga_(1-x)n超晶格插入层对al_xga_(1-x)n外延薄膜应变及缺陷密度的影响

n外延薄膜应变状态和缺陷密度的影响。通过拉曼散射探测声子频率从而得到材料中的残余应力是一种简便常用的方法,alxga1-xn外延薄膜的应变状态可通过拉曼光谱测量得

  https://www.alighting.cn/resource/20110902/127210.htm2011/9/2 17:06:01

日亚化再度针对专利出手,控告台厂亿光侵权

司在日本贩售亿光的部份产品中,该gt 3528系列产品侵犯日亚化的专利。根据ledinside的了解,94号专利是关于白光led使用的萤光粉密度专利,过去也用这个专利控告过g.k

  http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/9/1/234566.html2011/9/1 22:41:18

非极性gan用r面蓝宝石衬底

:平均半峰宽值为19.4arcsec;位错密度为5.6×103cm-2,波长大于300nm时的平均透过率大于80%;光学均匀性δn=6.6×10-5;平均表面粗糙度为0.49nm.结

  https://www.alighting.cn/resource/20110901/127216.htm2011/9/1 14:07:02

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