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掉原来用于生长外延层的衬底,然后将外延层键合转移倒导电和导热性能良好热导率大的衬底上,如铜、铝、金锡合金、氮化铝等。键合可用合金焊料如ausn、pbsn、in等来完成。si的热导率
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268364.html2012/3/15 21:57:37
d芯片,低热阻、散热良好及低应力的新的封装结构是功率型led器件的技术关键。可采用低阻率、高导热性能的材料粘结芯片;在芯片下部加铜或铝质热沉,并采用半包封结构,加速散热;甚至设计二
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268359.html2012/3/15 21:57:22
式led采用几颗晶片的方式是根据市场用户的要求进行的。在用户没有提出特殊要求时,一般选择挖槽孔型结构设计pcb板。pcb基板为bt板。二、挖槽孔方向的选择如果选择用挖槽孔型结构的方
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268357.html2012/3/15 21:57:16
由于蓝宝石基板的导热係数差,影响led的发光效率。为了解决led的散热难题,未来有可能将主要采用垂直结构led的架构,促进led产业的技术发展。关于垂直结构led技术相信大家都有
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268356.html2012/3/15 21:57:13
法涂抹均匀。散热铜敷板和散热片或金属支架灯、金属外壳的接触,现在很多led灯厂家使用我公司提供的软性硅胶导热片,可以大面积的铺垫,操作方便.最薄的是0.5mm,厚度可选择,1.0mm
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268322.html2012/3/15 21:55:32
金, 铜等)没有损伤,对硅及硅化合物(如sio2 或 si3n4)仅有极轻微损伤。蚀刻的速度快,能同时对带有不同厚度光刻胶的基板进行蚀刻,还可以剥离超厚光刻胶层(大于1mm),可进
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268321.html2012/3/15 21:55:29
d照明散热技术大功率led照明光源需要解决的散热问题涉及以下几个环节:1、 晶片pn结到外延层; 2、 外延层到封装基板; 3、 封装基板到外部冷却装置再到空气。半导体元器件通常对
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268320.html2012/3/15 21:55:27
们用了很多新的物料、元素和艺术品来作为设计的补充。由藏经阁、历史、书籍而演变,天地方圆,入口两侧以书为媒,一侧为现代典籍,另一侧为我国古代竹简,柱与梁用铜包裹,造型取自古书包装,地
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由金线将热能导出 (4). 若为共晶及flip chip制程,热能将经由通孔至系统电路板而导出 一般而言,led晶粒(die)以打金线、共晶或覆晶方式连结于其基
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268095.html2012/3/15 21:16:50
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