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低直接影响到led出光效率、器件寿命、可靠性、发射波长等。保持led结温允许的范围内，是大功率led芯片制备、器件封装和器件应用等每个环节都必须重点研究的关键因素，尤其是led器

http://blog.alighting.cn/15196/archive/2012/4/17/272312.html2012/4/17 17:20:01

、采用碳化硅基板生长GaN薄膜，优点是在相同操作电流条件下，光衰少、寿命长，不足处是硅基板会吸光。二、利用芯片黏合及剥离技术制造。优点是光衰少、寿命长，不足处是须对led表面进行处理

http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233187.html2011/8/20 0:26:00

、采用碳化硅基板生长GaN薄膜，优点是在相同操作电流条件下，光衰少、寿命长，不足处是硅基板会吸光。二、利用芯片黏合及剥离技术制造。优点是光衰少、寿命长，不足处是须对led表面进行处理

http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258466.html2011/12/19 10:54:53

、采用碳化硅基板生长GaN薄膜，优点是在相同操作电流条件下，光衰少、寿命长，不足处是硅基板会吸光。二、利用芯片黏合及剥离技术制造。优点是光衰少、寿命长，不足处是须对led表面进行处理

http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261596.html2012/1/8 21:55:11

、采用碳化硅基板生长GaN薄膜，优点是在相同操作电流条件下，光衰少、寿命长，不足处是硅基板会吸光。二、利用芯片黏合及剥离技术制造。优点是光衰少、寿命长，不足处是须对led表面进行处理

http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262772.html2012/1/29 0:44:05

、采用碳化硅基板生长GaN薄膜，优点是在相同操作电流条件下，光衰少、寿命长，不足处是硅基板会吸光。二、利用芯片黏合及剥离技术制造。优点是光衰少、寿命长，不足处是须对led表面进行处理

http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268356.html2012/3/15 21:57:13

、采用碳化硅基板生长GaN薄膜，优点是在相同操作电流条件下，光衰少、寿命长，不足处是硅基板会吸光。二、利用芯片黏合及剥离技术制造。优点是光衰少、寿命长，不足处是须对led表面进行处理

http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271156.html2012/4/10 20:58:07

、采用碳化硅基板生长GaN薄膜，优点是在相同操作电流条件下，光衰少、寿命长，不足处是硅基板会吸光。二、利用芯片黏合及剥离技术制造。优点是光衰少、寿命长，不足处是须对led表面进行处理

http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279508.html2012/6/20 23:06:50

业内人士介绍：替换基板的led芯片制造工艺是，先在蓝宝石基板上使GaN系半导体结晶外延生长，然后将mo基板或mocu基板粘贴在GaN系半导体结晶上。随后揭下蓝宝石基板，切割成le

https://www.alighting.cn/pingce/20110211/123079.htm2011/2/11 13:03:34

研究了不同能量的电子束辐照对 GaN 基发光二极管(light emitting diode，led)发光性能的影响。利用实验室提供的电子束模拟空间电子辐射，对 GaN 基 le

https://www.alighting.cn/resource/20140926/124256.htm2014/9/26 11:56:32