站内搜索
d的结构示意图：sed的结构示意图前玻璃基板上涂有红、绿、蓝三色荧光粉,并作为阳极相对后玻璃基板加有几千伏的高压。通过丝网印刷法在后玻璃基板上制作对应每个像素的金属电极,并用喷墨印
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229937.html2011/7/17 23:25:00
体单晶材料非常困难,到目前为止尚未有行之有效的办法。有研究人员通过hvpe方法在其他衬底(如al2o3、SiC、lgo)上生长氮化镓厚膜,然后通过剥离技术实现衬底和氮化镓厚膜的分
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229932.html2011/7/17 23:23:00
外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和SiC,si)上,气态物质in,ga,al,p有控制的输送到衬底表面,生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229934.html2011/7/17 23:23:00
光led。其技术是先在znse单晶基底上生长一层cdznse薄膜,通电后该薄膜发出的蓝 光与基板znse作用发出互补的黄光,从而形成白光光源。美国boston大学光子研究中心用同
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229928.html2011/7/17 23:20:00
代亮度越来越高的器件。在1990年左右推出的基于碳化硅(SiC)裸片材料的led效率大约是0.04流明/瓦,发出的光强度很少有超过15毫堪(millicandel)的。90年代中
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229925.html2011/7/17 23:19:00
板及片式led采用几颗晶片的方式是根据市场用户的要求进行的。在用户没有提出特殊要求时,一般选择挖槽孔型结构设计pcb板。pcb基板为bt板。二、挖槽孔方向的选择如果选择用挖槽孔型结
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229926.html2011/7/17 23:19:00
化硅SiC衬底。表2-4对五种用于氮化镓生长的衬底材料性能的优劣进行了定性比较。评价衬底材料必须综合考虑下列因素：1．衬底与外延膜的结构匹配：外延材料与衬底材料的晶体结构相同或相近
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229923.html2011/7/17 23:18:00
择上则是以algainp?樽畲笞冢?这是因?槠渚ц癯ｊ?(lattice constant)与gaas基板具有绝佳匹配性。不过…由於gaas基板能隙小於这些材料能隙,加上led所散
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229916.html2011/7/17 23:12:00
就是一项挑战,因为无论在良率、研发、生产工程上都是需要予以克服的。当然,还有其他方式可达到提高发光效率的目标,许多业者发现,在led蓝宝石基板上制作出凹凸不平坦的结构,这样或许可以提
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229909.html2011/7/17 23:09:00
够大幅度的缩短到2天。另外,芬兰的modilis则是使用大小不到1的金属,嵌入在柔韧的基板后压制成导光板,也就是采用压印(imprint)技术,将具有柔韧性的基板卷圆筒型的薄型品,再
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229910.html2011/7/17 23:09:00
