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led芯片寿命试验

验周期为1000小时或以上的称为长期寿命试验。生产工艺稳定时,1000小时的寿命试验频次较低,5000小时的寿命试验频次可更低。3、过程与注意事项对于led芯片寿命试验样本,可以采

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232818.html2011/8/19 0:29:00

led照明产业化政府应率先应用推动

星反应腔体所需的复杂运动。采用的气流模式可准确实现反应气体的瞬时切换,在保持腔体流场不变的情况下,可以实现反应气源从连续到脉冲注入的切换。加热炉体采用多区电阻片红外辐射加热方式,每

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233212.html2011/8/20 0:34:00

政府大手补贴助长led乱象?

一台led芯片生产机器可获上千万的补贴,靠补贴生存几成行业潜规则,led市场还没打开已现产能过剩。   “荧光灯仍是目前的主流产品,led灯尽管备受关注,但市场潜力爆发尚需时日。

  http://blog.alighting.cn/114793/archive/2011/11/12/252489.html2011/11/12 10:38:55

led照明产业化政府应率先应用推动

星反应腔体所需的复杂运动。采用的气流模式可准确实现反应气体的瞬时切换,在保持腔体流场不变的情况下,可以实现反应气源从连续到脉冲注入的切换。加热炉体采用多区电阻片红外辐射加热方式,每

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258444.html2011/12/19 10:49:37

led芯片寿命试验

验周期为1000小时或以上的称为长期寿命试验。生产工艺稳定时,1000小时的寿命试验频次较低,5000小时的寿命试验频次可更低。3、过程与注意事项对于led芯片寿命试验样本,可以采

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258569.html2011/12/19 11:00:50

led芯片寿命试验

验周期为1000小时或以上的称为长期寿命试验。生产工艺稳定时,1000小时的寿命试验频次较低,5000小时的寿命试验频次可更低。3、过程与注意事项对于led芯片寿命试验样本,可以采

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261498.html2012/1/8 21:46:08

led照明产业化政府应率先应用推动

星反应腔体所需的复杂运动。采用的气流模式可准确实现反应气体的瞬时切换,在保持腔体流场不变的情况下,可以实现反应气源从连续到脉冲注入的切换。加热炉体采用多区电阻片红外辐射加热方式,每

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261609.html2012/1/8 21:57:49

led芯片寿命试验

验周期为1000小时或以上的称为长期寿命试验。生产工艺稳定时,1000小时的寿命试验频次较低,5000小时的寿命试验频次可更低。3、过程与注意事项对于led芯片寿命试验样本,可以采

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262671.html2012/1/29 0:37:03

led照明产业化政府应率先应用推动

星反应腔体所需的复杂运动。采用的气流模式可准确实现反应气体的瞬时切换,在保持腔体流场不变的情况下,可以实现反应气源从连续到脉冲注入的切换。加热炉体采用多区电阻片红外辐射加热方式,每

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262785.html2012/1/29 0:45:12

led照明产业化政府应率先应用推动

星反应腔体所需的复杂运动。采用的气流模式可准确实现反应气体的瞬时切换,在保持腔体流场不变的情况下,可以实现反应气源从连续到脉冲注入的切换。加热炉体采用多区电阻片红外辐射加热方式,每

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268343.html2012/3/15 21:56:37

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