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及外接负载变化的情况下,控制电路通过被控制信号与基准信号的差值进行闭环反馈,调节集成电路 内部开关器件的导通脉冲宽度,使得输出电压或电流等被控制信号稳定。pwm的开关频率一般为恒定
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率、高功率因数、安全隔离、符合emi标准、高电流控制精度、高可靠性、体积小、成本低等正成为led驱动 电源的关键评价指标。 led驱动电源的具体要求 led是低压发光器件,具
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系统不仅给大屏幕led点阵显示提供了优良的控制电路,而且为cpld器件和eda技术提供了切实的应用实例。其中,共享双口ram的应用,为高速总线与低速总线的通信提供了一个新的解决方
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性以及实现这些特性的方法,最后将说明具备每种特性的典型电路。直流控制led是由电流驱动的器件,其亮度与正向电流呈比例关系。有两种方法可以控制正向电流。第一种方法是采用led v-i曲
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止,mocvd是制备氮化镓发光二极管和激光器外延片的主流方法,从生长的氮化镓外延片和器件的性能以及生产成本等主要指标来看,还没有其它方法能与之相比。国际上mocvd设备制造商主要有三家：德
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229933.html2011/7/17 23:23:00
之而来的是各种结构的量子阱光电器件很快从实验室进入商用化。金属有机化学汽相淀积(mocvd)是在汽相外延生长(vpe)的基础上发展起来的一种新型汽相外延生长技术。它采用ⅲ族、ⅱ族元
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情况：在焊接ic器件时,固化后,所有的引脚还落在焊盘上,但经过波峰焊后ic引脚会出现移位甚至离开焊盘并产生焊接缺陷。因此,要保证焊接品质,应坚持每个产品均要做温度曲线,而且要认真做
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光二极管,1998年实现了室温下连续激射10,000小时,取得了划时代的进展。到目前为止,mocvd是制备氮化镓发光二极管和激光器外延片的主流方法,从生长的氮化镓外延片和器件的性
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d是一种半导体材料,与普通二极管一样具有pn结,由于高亮二极管的功率相对比较大,所以与功率半导体器件相同,需要考虑散热问题,结温过高会直接影响led的寿命,并且会增大led的光衰,情
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迎。这些器件组成的阵列多用于安全设备和显示器背光。推动大陆红外led需求持续增长的动力来源于家用电器、安全系统和无线通讯产品。目前,深圳、江门、厦门和宁波这几个主要生产基地中,不少厂
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