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射明显增强。图4为ca、sr比不同的情况下该荧光粉的激发光谱。激发光谱与发射光谱有相似的变化趋势：随着钙含量的增加,激发峰朝长波方向移动,且峰值明显增强。这些改变扩大了该荧光粉的应
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229950.html2011/7/17 23:30:00
倍。?;2007/4,美国著名的led芯片制造公司cree收购华刚光电零件有限公司,华刚持有cree约9%的股份,将为cree提供具成本效益的生产平台,加速其发展极具潜力的中国市
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差(dislocation-free)的控制主要为将排差局限在颈部的成长。3、晶冠成长(crown growth)长完颈部后,慢慢地降低拉速与温度,使颈部的直径逐渐增加到所需的大校4、晶体成
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用光刻和刻蚀技术,形成gan视窗和掩膜层条。在随后的生长过程中,外延片gan首先在gan视窗上生长,然后再横向生长于sio条 上。4.悬空外延片技术(pendeo-epitaxy)采
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面,而灯具深度很薄；而利用光导技术,led直接装于光导管旁,可大大减少光源及其它组件占用的体积,制成超薄的灯具。4)电源、电路与灯具的集成为led 设计灯具,需要注意白炽灯和荧光灯灯
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题,就在于反应时 间,目前rgb灯大部分的反应时间约为4-8ms,他表示,如果有一天到大卖场去看,所有的rgb灯的反应时间可以到1-2ms,那么rgb灯的时代也即 将到来。不过,他
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2)在焊接时,电烙铁应尽可能采用防静电低压恒温烙铁,并保持良好的接地性。(3)在组装过程中,尽可能使用有接地线的低压直流电动起子(俗称电批).(4)保证生产拉台、灌胶台、老化架等有
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刷的方法在金属电极间制作氧化钯薄膜电子发射阴极。上图右下角就是单个像素的示意图。生成了氧化钯膜的金属电极间距只有4-6个纳米,当金属电极间加上10几伏的电压后,极间将形成超高电场,氧
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常el显示器是单色的,对角线尺寸从3.5英寸到10.4英寸,分辨率从160 x 80 (h x v)到vga。el显示器通常采用磷产生的琥珀色。美国平达系统公司能够提供超过16种不
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成电路芯片(即我们在电脑里可以看到的那些黑色或褐色,两边或四边带有许多插脚或引线的矩形小块)。4、测试工序：芯片制造的最后一道工序为测试,其又可分为一般测试和特殊测试,前者是将封装
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