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求的四点x,y色品区域内。针对以上要点,我们可以采用两种方案进行有效的分光分色,一种是从测电压到漏电流到光通量到光谱多道工序大量人工配合进行品质把控和分档。一种是通过专业的大功率le
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应加热,以低阻硅作为发热体,用高纯h2作为mo源的携带气体。用高纯n2作为生长区的调节。用hall测量、双晶衍射以及室温pl光谱作为gan的质量表征。要想生长出完美的gan,存在两
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商和检测机构引用。图5 cie-127推荐led光强测试条件(3)光谱参数led的光谱特性参数主要包括峰值发射波长、光谱辐射带宽和光谱功率分布等。单色led的光谱为单一波峰,特性
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230087.html2011/7/18 23:26:00
用,维护费用极为低廉led可连续使用105h,比普通白炽灯泡长100倍;2)高效率现在已经可以达到201m/w.预计到2005年将达到501m/w[1],led)的光谱几乎全部集中于可
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量则以光辐射的形式被释放出来,led正是根据这样的原理实现电光的转换,又根据半导体材料物理性能的不同,led可发出从紫外到红外不同光谱下不同颜色的光线,特别是led不能发出白光的技
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学性能主要涉及到光谱、光度和色度等性能方面的要求。根据新制定的行业标准“半导体发光二极管测试方法”,主要有发光峰值波长、光谱辐射带宽、轴向发光强度、光束半强度角、光通量、辐射通量、发
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于1300-1600℃灼烧 2-4小时,冷后经后处理成为最终的荧光粉。光学性能用fluorolog 3 型荧光分光光度计及spr-920d型光谱辐射分析仪测试,颗粒特性用coulte
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发射出峰值波长大于600nm的宽带发射。图1为不同铕含量下硫化物红色荧光粉的发射光谱。在不同的铕含量下,发射光谱的形状和发射峰位置几乎没有变化。但发射强度随着铕含量的增加,先增强
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.6ev(inn)到6.2ev(aln)的连续可调直接带隙,这样利用单一体系的材料就可以制备覆盖从近红外到深紫外光谱范围的光电组件。因此,inn有望成为长波长半导体光电器件、全彩显
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