检索首页
阿拉丁已为您找到约 4026条相关结果 (用时 0.0120754 秒)

垂直结构led技术面面观

以提高发光效率。三、是采用异质基板如硅基板成长氮化鎵led磊晶层,优点是散热好、易加工。制造垂直结构led芯片有两种基本方法:剥离生长衬底和不剥离生长衬底 。其中生长在砷化鎵生长衬

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261596.html2012/1/8 21:55:11

垂直结构led技术面面观

以提高发光效率。三、是采用异质基板如硅基板成长氮化鎵led磊晶层,优点是散热好、易加工。制造垂直结构led芯片有两种基本方法:剥离生长衬底和不剥离生长衬底 。其中生长在砷化鎵生长衬

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262772.html2012/1/29 0:44:05

垂直结构led技术面面观

以提高发光效率。三、是采用异质基板如硅基板成长氮化鎵led磊晶层,优点是散热好、易加工。制造垂直结构led芯片有两种基本方法:剥离生长衬底和不剥离生长衬底 。其中生长在砷化鎵生长衬

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268356.html2012/3/15 21:57:13

垂直结构led技术面面观

以提高发光效率。三、是采用异质基板如硅基板成长氮化鎵led磊晶层,优点是散热好、易加工。制造垂直结构led芯片有两种基本方法:剥离生长衬底和不剥离生长衬底 。其中生长在砷化鎵生长衬

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271156.html2012/4/10 20:58:07

垂直结构led技术面面观

以提高发光效率。三、是采用异质基板如硅基板成长氮化鎵led磊晶层,优点是散热好、易加工。制造垂直结构led芯片有两种基本方法:剥离生长衬底和不剥离生长衬底 。其中生长在砷化鎵生长衬

  http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279508.html2012/6/20 23:06:50

led芯片制作不可不知的衬底知识

外延片的生产制作过程是非常复杂,展完外延片,接下来就在每张外延片随意抽取九点做测试,符合要求的就是良品,其它为不良品(电压偏差很大,波长偏短或偏长等)。良品的外延片就要开始做电极(

  https://www.alighting.cn/2013/10/11 11:32:22

氧化对gan基led透明电极接触特性的影响

研究了热退火对ingan/gan多量子阱led的ni/au p gan欧姆接触的影响。发现在空气和n2气氛中交替地进行热退火的过程中ni/au接触特性显示出可逆现象。ni/au p

  https://www.alighting.cn/2013/1/29 15:47:52

新型led荧光粉的开发与应用

荧光粉是led中最重要的关键技术和原材料之一,2011年国内led荧光粉的需求量将达2.5亿元,并且随着led技术的不断进步,对各种荧光粉的需求将会保持可观的增长率。但是目前国内缺

  https://www.alighting.cn/resource/20120503/126581.htm2012/5/3 16:20:00

钻石底碳化硅 led的梦幻基材(上)

碳化硅(sic)是继第一代半导体材料和第二代半导体材料砷化镓(gaas)后发展起来的第三代半导体材料。

  https://www.alighting.cn/resource/20110714/127427.htm2011/7/14 17:29:12

led芯片之湿法表面粗化技术

led芯片的湿法表面粗化技术主要阐述经过粗化的gan基led芯片,亮度增加可达24%以上。采用湿法腐蚀方法对gan材料表面进行处理,对其表面形貌进行分析同时将其制作成芯片,对其光电

  https://www.alighting.cn/resource/20110712/127432.htm2011/7/12 17:59:48

首页 上一页 114 115 116 117 118 119 120 121 下一页