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档领域。国产芯片尽管售价仅为进口芯片的1/10，但占国内市场不足10%。除此之外，高亮度功率型led芯片、器件80%以上均依赖进口。外延生产用关键设备mocvd和外延片衬底、封装
http://blog.alighting.cn/singnice/archive/2013/1/28/308869.html2013/1/28 22:19:21
使用脉冲激光沉积(pld)方法在石英(sio2)和单晶si(111)基底上制备了具有高c轴择优取向的zno薄膜。测试结果显示:在30～70sccm氧气流量范围内,氧气流量50scc
https://www.alighting.cn/resource/20130128/126105.htm2013/1/28 13:14:42
料的led芯片，则使用蓝宝石、sic和si等作为基板，如果是红色led等采用alingap类材料的led芯片，则使用 gaas等作为基
https://www.alighting.cn/resource/20130128/126108.htm2013/1/28 9:55:40
大，led未来主要市场是通用照明市场，市场容量大，终端消费市场比较分散，不易形成垄断，国内企业生存空间广阔。国内一些企业拥有核心知识产权，如晶能光电的硅衬底氮化镓蓝光项目，大连路美的芯
http://blog.alighting.cn/aswei/archive/2013/1/26/308741.html2013/1/26 11:06:14
快速扩张引发的迅速膨胀，库存所带来的危机，产业结构的失衡，核心技术的缺失，价格战，倒闭潮……变动的时局，艰难的抉择，2013年，led行业到底路往何方?重重围困下， led人到
https://www.alighting.cn/news/20130125/85415.htm2013/1/25 16:44:42
经财务部门初步测算，天通股份预计2012年年度经营业绩将出现亏损，实现归属于上市公司股东的净利润为-1.85亿元到-1.95亿元。公司上年同期归属于上市公司股东的净利润为12，10
https://www.alighting.cn/news/20130125/112933.htm2013/1/25 10:37:49
采用金属有机化学汽相沉积生长法(mocvd),在不同的衬底表面处理条件和生长温度下,在gaas衬底上生长出了zno薄膜。随着化学腐蚀条件的不同,可生长出优先定位不同的zno(10
https://www.alighting.cn/resource/20130123/126124.htm2013/1/23 14:41:54
利用gcr170型脉冲激光器nd：yag 的三次谐波(355nm)，以蓝宝石al2o3(0001)为衬底，在不同温度下采用脉冲激光沉积法制备了zno 薄膜.通过原子力显微镜
https://www.alighting.cn/resource/20130123/126125.htm2013/1/23 14:07:10
采用射频磁控溅射方法分别在蓝宝石(al2o3)(0001)和硅(100)衬底上制备zno薄膜.通过x-光衍射测量与分析表明两者都沿c轴方向生长,在al2o3衬底上的zno薄膜结
https://www.alighting.cn/resource/20130123/126126.htm2013/1/23 13:45:44
新统计显示，相对于今年年初，led 上游衬底和芯片价格下降幅度已超过三分之一。 上游衬底和芯片价格的急速下降，致使下游产品的售价也跟着下调。经营下游产品的市场部人员表示，现在，不
http://blog.alighting.cn/chhi008/archive/2013/1/23/308417.html2013/1/23 10:30:34
