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以提高发光效率。三、是采用异质基板如硅基板成长氮化鎵led磊晶层，优点是散热好、易加工。制造垂直结构led芯片有两种基本方法：剥离生长衬底和不剥离生长衬底 。其中生长在砷化鎵生长衬
http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279508.html2012/6/20 23:06:50
性，提高了芯片寿命。2）键合技术 algainp和algainn基二极管外延片所用的衬底分别为gaas和蓝宝石，它们的导热性能都较差。为了更有效的散热和降低结温，可通过减薄衬底或去
http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279482.html2012/6/20 23:06:16
在led衬底材料的技术和外延片生产设备方面，国产led照明产业存在明显瓶颈。我国企业led领域的自主创新和专利主要集中在封装阶段，而在最关键的白光、大功率led灯的热平衡问题、持
http://blog.alighting.cn/fafafa/archive/2012/6/20/279483.html2012/6/20 23:06:16
w。开发出最大发光功率5w、120lm的白光led。 osram和gree开发出碳化硅衬底的gan器件。 国外led的技术发展趋势是向大功率、高亮度、高效率、低成本方向发展。1．
http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279449.html2012/6/20 23:05:25
d通常是用碳化硅、蓝宝石或其他材料的衬底制成。这些衬底吸收了led产生的一些光子，会降低效率。 迄今为止，hbled通常采用两种主要技术制成：ingan和allngap(也称
http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279434.html2012/6/20 23:05:05
光效果方面的优势，还是成为了欧洲消费者的最佳选择。在美国led灯饰也占了20%-30%的灯饰及应用照明市场，预计至2010年年底占有率会提升到90%以上。至于起飞很快的中国市场，目
http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279430.html2012/6/20 23:04:59
d上游衬底材料、外延片、芯片生产上核心专利和领先技术，成为产业界的龙头，韩国和中国台湾地区通过技术跟踪和规模化发展成为全球重要的led生产基地，而中国大陆、马来西亚等国家和地区在技
http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279429.html2012/6/20 23:04:56
对于led照明领域，去年底国家科技部、财政部启动的“十城万盏”计划，实在是一个诱人的大蛋糕。根据该计划，2010年要在10-20个城市推广30万盏以上led市政照明灯具，粗略计
http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279428.html2012/6/20 23:04:53
要的，多数企业也都认识到微博在树立品牌形象中发挥的重要作用。但到底如何才能在粉丝心目中树立良好的品牌形象呢? 新生代市场监测机构与群邑联合开展的一项调研表明：在用户使用微博的众多原因
http://blog.alighting.cn/jieke/archive/2012/6/20/279387.html2012/6/20 16:31:18
展。 与此同时，重庆本土企业在标准制定上也不甘落后。四联光电是该市一家成立仅4年的企业，就是这样一家企业，目前正在和一家国外知名的led企业合作，准备着手推出6英寸衬底晶片的国际标
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