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安的正向电流，红黄光类led的vf值约为2伏，而GaN基兰绿光类led 器件的vf值通常大于3伏。 反向漏电流ir是指给定的反向电压下流过器件的反向电流值， 这个值的大小十
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120381.html2010/12/13 14:28:00
2,由于具有较为优越的性能和应用前景,因而发展势头和市场潜力较好。 3 纳米二氧化钛 vk-t02在防晒化妆品中的应用选择 3. 1 晶型的选择 常用二氧化钛属正方晶
http://blog.alighting.cn/weking1/archive/2010/12/13/120317.html2010/12/13 10:37:00
光电显示ic tlp504a 东芝半导体ic系列产品tlp504a包括一个片光耦合器和一个砷化镓红外发光二极管的晶体管。tlp504a提供了两个晶体管组成的一个八引脚塑料di
http://blog.alighting.cn/neemo22/archive/2010/12/13/120305.html2010/12/13 10:33:00
本文就“GaN材料的特性与应用，GaN是什么？”做了简要的分析概述，以飨读者；
https://www.alighting.cn/resource/20101210/128138.htm2010/12/10 13:45:00
据来自于日本经济新闻方面的消息，三菱化学与蓝光led之父中村修二已成功运用液相沉积法生产出氮化镓(GaN)晶体。
https://www.alighting.cn/news/20101209/116107.htm2010/12/9 9:11:07
据日本经济新闻报导，三菱化学与蓝光led之父中村修二(shuji nakamura)已成功透过液相沉积法生产出氮化镓(GaN)晶体。报导指出，从上述晶体切割出的基板其制造成本仅
https://www.alighting.cn/pingce/20101208/123145.htm2010/12/8 13:40:04
近日，从事GaN外延基板开发及销售等业务的风险企业powdec，公开开发表了利用GaN类半导体的肖特基势垒二极管(sbd)，预估2012年前量产。
https://www.alighting.cn/pingce/20101206/123155.htm2010/12/6 9:26:47
近日，从事GaN外延基板开发及销售等业务的风险企业powdec，公开开发表了利用GaN类半导体的肖特基势垒二极管（sbd），预估2012年前量产。
https://www.alighting.cn/news/20101203/106822.htm2010/12/3 0:00:00
对于高亮度led制造业来说，蓝宝石上GaN明显是一种领先的方案;sic上GaN几乎也一样，对眼下基于氮化物的无线/射频产品而言，它是一张中奖彩票。硅上GaN也是用于这几个市场，但
https://www.alighting.cn/resource/20101201/128165.htm2010/12/1 15:21:37
色雷射、尺寸达2寸，位错密度达10的5次方的半极性及非极性氮化镓(GaN)基
https://www.alighting.cn/news/20101125/116903.htm2010/11/25 9:32:04
