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delta掺杂技术是在维持氨气流量不变的情况下，通过选择性打开或者关闭三甲基镓和硅烷来实现。采用delta掺杂技术后，led器件的esd值从1200伏提高到4000伏以上，而且电功
https://www.alighting.cn/news/20111017/99955.htm2011/10/17 10:49:53
a;而普通低压的1w led电压为3v，电流为350ma，所以“同样输出功率的高压led在工作时耗散的功率要远低于低压led，这意味着散热铝外壳的成本可大大降低。”(
http://blog.alighting.cn/binxuegandan/archive/2011/10/14/244609.html2011/10/14 8:39:01
要解决这些既存问题，建议路灯厂商厂商从基本材料上着手，从根本由内而外的解决高功率led热源问题。举例来说在发光组件与铝基板的黏合时，导热胶就扮演关键角色，有些厂商以为导热胶膜或导
http://blog.alighting.cn/lanjianghong/archive/2011/10/12/244157.html2011/10/12 11:30:01
三星高级技术研究所(samsung advanced institute of technology)已经成功地利用无定形玻璃基材制造出单晶氮化镓(gan)，这是一个重要的里程碑
https://www.alighting.cn/news/20111011/114471.htm2011/10/11 9:58:44
“1x1 台灯”一个木制的台灯设计，光源当然还是led，重点设计在于这个可以任意弯曲的底座。 这个底座长长的一条，外面包裹一层厚实的橡胶，里面是铝，用户可以根据自己的想法改变底
http://blog.alighting.cn/112256/archive/2011/10/10/243946.html2011/10/10 17:54:39
http://blog.alighting.cn/maoyuhai/archive/2011/10/10/243713.html2011/10/10 11:52:47
处的螺钉直径是小于3mm的，而根据gb 7000.1的规定，这类螺钉需要旋入金属。目前常见的做法是，led日光灯使用铝外壳，而这个螺钉直接旋入金属外壳，这样也可以满足要求。但由此产
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/10/9/243669.html2011/10/9 22:58:38
此前，氮化镓只能用于(111)-硅上，而目前广泛使用的由硅制成的互补性金属氧化半导体(cmos)芯片一般在(100)-硅或(110)-硅晶圆上制成。这表明，新晶体管能同由(11
https://www.alighting.cn/news/20111009/100275.htm2011/10/9 10:09:29
讨论了采用mocvd在al2 o3衬底上生长gan过程中的极性问题。在氮化衬底上生长低温缓冲层前沉积一al层来改变外延层的极性 ,并用ciciss来测量这一极性 ,最后给出了一
https://www.alighting.cn/resource/20111008/127042.htm2011/10/8 11:28:23
这些灯具的结构基本相同，就是led光源由led晶体封装在一个热沉上，led照明灯发光面由树脂透镜封装保护并做好发光角度，几十、上百颗这样的光源被安装到一个印刷线路铝基板上，铝基板
http://blog.alighting.cn/110231/archive/2011/10/7/243277.html2011/10/7 11:51:57
