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底。因为硅材料的基底不受专利的限制。而且性能还优于蓝宝石。唯一的问题是gan的膨胀系数和硅相差太大而容易发生龟裂，解决的方法是在中间加一层氮化铝(aln)作缓
http://blog.alighting.cn/cwlvxue2008/archive/2012/3/12/267555.html2012/3/12 19:16:18
掉原来用于生长外延层的衬底，然后将外延层键合转移倒导电和导热性能良好热导率大的衬底上，如铜、铝、金锡合金、氮化铝等。键合可用合金焊料如ausn、pbsn、in等来完成。si的热导率
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268364.html2012/3/15 21:57:37
、四个led芯片，可用于组装照明产品。模组封装也是一种多芯片封装，在氧化铝或氮化铝基板上以较小的尺寸、高的封装密度封装几十个或几百个led芯片，内部的联线是混联型式，即有多个芯
http://blog.alighting.cn/108092/archive/2012/3/17/268593.html2012/3/17 13:37:48
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271148.html2012/4/10 20:57:39
年来，随着人们对半导体发光材料研究的不断深入，led制造工艺的不断进步和新材料（氮化物晶体和荧光粉）的开发和应用，各种颜色的超高亮度led取得了突破性进展，其发光效率提高了近100
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271697.html2012/4/10 23:22:48
d等。由於製造採用了鎵、砷、磷三种元素，所以俗称这些led为三元素发光管。而gan（氮化鎵）的蓝光 led 、gap 的绿光 led和gaas红外光led，被称为二元素发光管。而目
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271770.html2012/4/10 23:32:26
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274751.html2012/5/16 21:29:47
型mocvd装备、关键原材料实现国产化，led产品成本降低至2011年的1/5。《规划》中的重点任务之一就是基础研究。规划期望在这方面的在“十二五”期间取得重大突破，包括超高效率氮化
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2012/5/24/276011.html2012/5/24 23:30:54
体、耐冲击不易破碎、没有污染，废弃物可回收。因为led节能，广泛使用led照明，可大量减少二氧化硫、氮化物等有害气体，以及二氧化碳等温室气体的排放，利于改善人们生活居住环境，le
http://blog.alighting.cn/trumpled/archive/2012/6/14/278501.html2012/6/14 11:09:55
http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279482.html2012/6/20 23:06:16
