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led的封装技术

法简单地将分立器件的封装用于led。led的核心发光部分是由p型和N型半导体构成的pN结管芯,当注入pN结的少数载流子与多数载流子复合时,就会发出可见光,紫外光或近红外光。但pN

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229929.html2011/7/17 23:21:00

gaN外延片的主要生长方法

质分别为tmga、tega、tmiN、tmal、ph3与ash3。通过掺si或掺 te以及掺mg或掺zN生长N型与p型薄膜材料。对于iNgaalp薄膜材料生长,所选用的iii族元

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229933.html2011/7/17 23:23:00

发光二极管封装结构及技术

及 技术要求,无法简单地将分立器件的封装用于led。led的核心发光部分是由p型和N型半导体构成的pN结管芯,当注入pN结的少数载流子与多数载流子复合时,就会发出可见光,紫外 光或

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【blc9600】道路灯\马路灯【西安】

部的电缆引入孔引进灯腔内,根据灯具内接线座上标明的极性接好电缆线(火线接“l”位,零线接“N”位,地线接到接地位),接好线后用电线压片压紧电缆线。 3、blc9600道路灯将灯杆插

  http://blog.alighting.cn/rpmayfm/archive/2011/7/18/230061.html2011/7/18 16:14:00

Ns9730】防眩通路灯【西安】

上标明的极性接好电线:火线接“l”位,零线接“N”位,地线接到接地位。5、Nsc9730防眩通路灯合上电气箱盖,将三颗螺钉拧紧,再将电缆线另一端接通220v电源即可照明。 四、Ns

  http://blog.alighting.cn/rpmayfm/archive/2011/7/18/230063.html2011/7/18 16:16:00

三种led衬底材料的比较

体,常温下的电阻率大于1011ω?;cm,在这种情况下无法制作垂直结构的器件;通常只在外延层上表面制作N型和p型电极(如图1所示)。在上表面制作两个电极,造成了有效发光面积减少,同

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230089.html2011/7/18 23:27:00

led芯片/器件封装缺陷的非接触检测技术

加正向工作电压vd时,驱使价带中的空穴穿过pN结进入N型区、同时驱动导带中的电子越过pN结进入p型区,在结的附近多余的载流子会发生复合,在复合过程中发光、从而把电能转换为光能。

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230108.html2011/7/18 23:49:00

大功率、高亮度led的驱动方案大全

源和所需效能也会影响连接方案的选择。led的连接一般分为三种主要结构,即串联、并联(共阳极、共阴极、共阳极与共阴极),以及串、并混联(2个led串联、N个led串联)1. 串联图

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230158.html2011/7/19 0:15:00

发光二极管封装结构及技术

及技术要求,无法简单地将分立器件的封装用于led。 led的核心发光部分是由p型和N型半导体构成的pN结管芯,当注入pN结的少数载流子与多数载流子复合时,就会发出可见光,紫外光或近红

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一种用于白光led驱动的电荷泵电路设计

及2个Nmos管s4、s6组成,如图4所示。以p管s1和N管s4为例,计算开关管的宽长比。根据版图设计规则的要求,单个管子的宽长比w/l可以设定为2.8μm/0.6μm。假设s1的

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