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据悉，现行的制造技术仅能制作出数mm左右大小的长方形GaN基板。住友的GaN基板，突破这一量产组件的瓶颈，即使与现行已进行量产的GaN基板结晶面(crystal face)相
https://www.alighting.cn/resource/20101125/128781.htm2010/11/25 0:00:00
1993年世界上第一只GaN基蓝色led问世以来，led制造技术的发展令人瞩目。目前国际上商品化的GaN基led均是在蓝宝石衬底或sic衬底上制造的。但蓝宝石由于硬度高、导电
https://www.alighting.cn/resource/20101124/128212.htm2010/11/24 17:57:30
衬底材料是半导体照明产业技术发展的基石。衬底材料的技术对于led的发展至关重要；本文，简单介绍几种常用的衬底材料，以飨读者；
https://www.alighting.cn/resource/20101119/128220.htm2010/11/19 11:23:36
中，致使目前hbled能带结构通常都采用双异质结。二是量子阱结构活性层的变薄能够有效地提高辐射复合效率，并且能减少再吸收。但是，当活性层的厚度可以与晶体中电子的德布罗意波相比拟
http://blog.alighting.cn/Antonia/archive/2010/11/18/115032.html2010/11/18 16:39:00
是开发蓝光led时，碳化矽(sic)与氮化镓(GaN)两大门派之争。这也是许多研发团队辛勤投入开发蓝光led元件时，必须痛苦抉择的两条截然不同的道路。 之前，全球许多大公司皆投
http://blog.alighting.cn/beebee/archive/2010/11/17/114813.html2010/11/17 22:50:00
、大屏幕显示器、信号灯和液晶屏幕背光源等领域。近些年来，随着gap、GaN系ⅲ-v族化合物半导体的结晶成长工艺技术及纳米技术的进步，led的光效和大功率集成技术都有了很大的提高，le
http://blog.alighting.cn/beebee/archive/2010/11/17/114812.html2010/11/17 22:48:00
它重点产品获取全球最大的市场份额。在2011年3月之前推出氮化鎵(GaN)基半导体产
https://www.alighting.cn/news/20101109/107538.htm2010/11/9 0:00:00
湖南led龙头湘能华磊光电股份公司日前在湖南产权交易所挂牌，拟对外公开征集5个投资者，共增资16302万股，拟募资4.33亿元以上。公司明确规定了意向投资人在成为公司股东到公司上市
https://www.alighting.cn/news/20101109/118071.htm2010/11/9 0:00:00
量为0. 1 uf、误差为±5%。 三、晶体二极管 晶体二极管在电路中常用“d”加数字表示，如： d5表示编号为5的二极管。 1、作用：二极管的主要特性是单向导电性，也就是在正向电
http://blog.alighting.cn/zhangshen2010/archive/2010/11/2/111438.html2010/11/2 9:57:00
元器件的检验和帅选 1。二极管 一般除用晶体管特性图示仪检测二极管的反响耐压外，还要检测其稳定性。即在一定温度下测量其反向耐压。 2。电解电容 电解电容是电子镇流器中一
http://blog.alighting.cn/cyb83519/archive/2010/11/1/111316.html2010/11/1 21:13:00
