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虽然GaN leds的发展相当成功，但是使用有机金属化学气相沉积(mocvd)制程却让它们的p型掺杂
https://www.alighting.cn/resource/20100712/127976.htm2010/7/12 18:09:51
以GaN为代表的第三代半导体材料是近十几年来国际上倍受重视的新型半导体材料，在白光led、短波长激光器、紫外探测器以及高温大功率器件中具有广泛的应用前景。
https://www.alighting.cn/resource/20100712/127977.htm2010/7/12 18:02:38
semi产业研究部资表示：2011年全球半导体设备支出仍可维持稳健的成长，预估2010年台湾将以77亿美元的晶圆厂资本支出金额位居全球半导体设备支出之冠，韩国以74亿美元次之。
https://www.alighting.cn/resource/20100712/127989.htm2010/7/12 17:01:09
对于一般照明而言，人们更需要白色的光源。 1998 年发白光的 led 开发成功。这种 led 是将 GaN 芯片和钇铝石榴石（ yag ）封装在一起做成。 GaN 芯片发蓝
http://blog.alighting.cn/ggzhaoye/archive/2010/7/8/54597.html2010/7/8 14:34:00
4英寸晶圆等制程技术，将导致毛利率提高。 国家发改委《半导体照明节能产业发展意见》全文 半导体照明节能产业制定6年计划之意
http://blog.alighting.cn/1026/archive/2010/7/8/54543.html2010/7/8 10:41:00
从管芯的两侧引出,而不必象不导电的蓝宝石那样必须都从一侧引出,这样不但可以减少管芯面积还可以省去对GaN外延层的干法腐蚀步骤。同时由于硅的硬度比蓝宝石和sic低,在加工方面也可以节
http://blog.alighting.cn/luhfhy/archive/2010/7/1/53723.html2010/7/1 17:06:00
目前日本日亚公司垄断了蓝宝石衬底上GaN基led专利技术，美国cree公司垄断了sic衬底上GaN基led专利技术。因此，研发其他衬底上的GaN基led生产技术成为国际上的一个热
https://www.alighting.cn/resource/20100701/129051.htm2010/7/1 0:00:00
1993年世界上第一只GaN基蓝色led问世以来，led制造技术的发展令人瞩目。目前国际上商品化的GaN基led均是在蓝宝石衬底或sic衬底上制造的。
https://www.alighting.cn/news/2010628/V24194.htm2010/6/28 10:21:22
足蓝宝石衬底图形化刻蚀、si衬底刻蚀以及GaN基外延层刻蚀等led领域所有刻蚀应
https://www.alighting.cn/news/20100608/119238.htm2010/6/8 0:00:00
以GaN为代表的第三代半导体材料是近十几年来国际上倍受重视的新型半导体材料，在白光led、短波长激光器、紫外探测器以及高温大功率器件中具有广泛的应用前景.因而开发适合规模制造ga
https://www.alighting.cn/resource/20100607/128384.htm2010/6/7 0:00:00
